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电动汽车充电
泵处的电源电子元件
随着汽车和其他运输车辆的脱碳化，对车辆充电基础设施的需求将日益增加。为了对未来轿车提供电力，需要针对安全性和可靠性而设计的坚固器件和系统。安森美半导体的超结 MOSFET、IGBT、碳化硅器件和电源集成模块 (PIM)，结合我们的门极驱动器、感应、控制和外围电源产品。为所有类型和功率等级的电动车辆充电系统提供了完整的系统方案。
电动车充电设备通常分为 1 级到 4 级，分别与下面说明的充电功率等级相对应。对于 1 级和 2 级充电，主要的电源电子元件通常位于车辆内部。安森美半导体的车载充电器 (OBC)技术位于车辆电气化方案页面中。
在 3 级和 4 级电动车充电设备中，AC-DC 转换设备的功率、成本和重量更高，需要固定的装置。下面是一个电动车充电站的框图，其中带有一个用于 PFC 前端的 Vienna 整流器，一个全桥谐振 LLC DC-DC 级。绿色框显示了安森美半导体提供的所有子系统方案。
应用
| 3.3kW | 说明 |
|---|---|
| DN05107/D | 3.3KW 车载电动车充电器 |
| AND9813/D | 使用电源模块的电动车 OBC 系统 |
| TND6327/D | 3.3 kW APM OBC 演示板 |
| 6.6 kW- 7.2 kW | 说明 |
| TND6320/D | 6.6 kW 车载电动车充电器参考设计 |
| 11 kW- 22 kW | 说明 |
| TND6318/D | 车载充电器 (OBC) LLC 转换器 |
| AND9957/D | 如何与 3 相 PFC 评估板进行接口连接 |
| SEC-3PH-11-OBC-EVB | 三相车载充电器 (OBC) PFC-LLC 平台 |
相关产品
| 产品 | 说明 |
|---|---|
| IGBT | 绝缘门极双极晶体管 (IGBT)，用于电子点火、闪光灯、电机驱动和其他大电流开关应用。 |
| 整流器 | 标准和快速恢复整流器。 |
| 碳化硅 (SiC) 二极管 | 碳化硅肖特基二极管 |
| MOSFET/IGBT 驱动器 | 用于低边、高边和半桥驱动电路的 MOSFET 和 IGBT 驱动器。 |
| IGBT/MOSFET 门极驱动器光耦合器 | IGBT/MOSFET 门极驱动器光耦合器系列提供了快速开关规格，使得设计者能够使用更小的滤波器，因此降低了总体系统功耗。 |
| 高性能光耦合器 | 安森美半导体的 3.3V/5V 高速逻辑门极光耦合器支持系统之间的隔离式通信，而无需导通接地回路或危险电压。 |
| 电流感应放大器 | 电流感应需要准确的测量，安森美半导体的电流感应放大器提供了高精度电流感应，以及宽输入共模范围、双向电流感应和高/低边电流感应等优点。 |
| 运算放大器 (Op Amp) | 安森美半导体广泛的运算放大器产品阵容采用高性能器件，其中包括低功耗、低噪声、精确、功率和通用放大器。 |
| 大电流门极驱动器 | NCD5700 系列大电流门极驱动器适用于通过米勒平坦区来保持大驱动电流，从而降低开关损耗。 NCD5700：IGBT 门极驱动器，NCV5700：IGBT 门极驱动器 NCD5701：IGBT 门极驱动器，NCV5701：IGBT 门极驱动器 驱动碳化硅 MOSFET 与硅器件不同，因此我们设计了专用于以下用途的驱动器： |
