宽禁带方案
碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)是用于高性能电源转换和电机控制的下一代材料。这些宽禁带(WBG)材料将在以下领域推动未来的应用实现高性能：
5G通讯
安森美半导体是领先的电源管理产品供应商之一，正在开发完整的器件生态系统，以支持宽禁带电源设计, 包括SiC二极管和SiC MOSFET、GaN HEMT、 SiC和GaN驱动器及集成模块。
最高可靠性：
安森美半导体的SiC器件有专利的端接结构，提供在恶劣的环境条件下更胜一筹的强固性。
H3TRB 测试(高温/湿/偏压), 85C/85% RH/85% V (960V)
强固性：
安森美半导体的肖特基势垒SiC 二极管始终保持最低的漏电流。
SiC二极管强固性 – 反向漏电流
强固性：
SiC二极管强固性 – 浪涌和雪崩
安森美半导体的650V/30A SiC 二极管的浪涌电流波形
安森美半导体的650V/30A SiC 二极管的雪崩电流波形
- 最高结温Tj-max限制了器件的雪崩能力
- 故障测试是连续的和可重复的，说明工艺稳定
更高开关频率 | 更低损耗 | 更高能效 | 更高功率密度
更少器件数 | 更小尺寸 | 更轻重量
| 应用注释 | 具体说明 |
|---|---|
| AND9691/D | SiC MOSFET应用 |
| AND9932/D | NCP51820 GaN驱动器、PCB设计 和布板 |
| 设计注释 | 具体说明 |
| DN05067/D | GaN HEMT用于一体式工作站电源 |
| DN05107/D | 3KW车载充电 |
| 白皮书 | 具体说明 |
| TND6237/D | SiC MOSFETs: 门极驱动优化 |
| TND6260/D | 基于物理的、可扩展SPICE 建模方法 |
| 仿真模型 | 具体说明 |
| SiC二极管仿真模型 | |
| 培训教材 | 具体说明 |
| WVD17218/D | 宽禁带生态系统快速开关和颠覆性的 仿真环境 |
| 视频 | 具体说明 |
| WVD17183/D | 宽禁带演示 |
用颠覆性的碳化硅技术减小尺寸和提高能效
设计支援：
我们提供物理SPICE模型 ， 帮助设计工程师在仿真中实现其应用性能而无需昂贵的测量周期。我们的预测型分立建模支持系统级仿真，其中器件可针对系统级品质因数如能效而优化，而不仅仅是器件级的品质因数如RDS(on)。
标准：
安森美半导体是JEDEC宽禁带标准委员会 的成员之一。我们正在为制定通用标准贡献一己之力，以帮助推进宽禁带(WBG)电源技术的采用。
