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不中断电源 (UPS)
不中断电源 (UPS) 系统广泛用于保护无数应用中重要部件的电源，这些应用包括电信和数据中心，以及各种工业设施。这些系统除了能够补偿电网短期的电源中断之外，还提供滤波器功能，可确保可靠的电压供应。
安森美半导体提供了广泛深入的高性能分立器件产品阵容，包括功率 MOSFET、IGBT、碳化硅二极管、高压门极驱动器 (HVIC)、交错式 PFC 控制器、带集成式 MOSFET 的反激和前向 PWM 控制器、大功率模块，以及信号和门极驱动器的隔离，可满足各种低、中和大功率不中断电源 (UPS) 设计的高要求。
不中断电源框图
相关产品
| 产品 | 说明 |
|---|---|
| MOSFET | 功率 MOSFET，包括 N 沟道、P 沟道和互补 MOSFET，用于电源转换和 开关电路 |
| IGBT | 绝缘门极双极晶体管 (IGBT)，用于电子点火、闪光灯、电机驱动和其他大电流 开关应用 |
| MOSFET/IGBT 驱动器 | 用于低边、高边和半桥驱动电路的 MOSFET 和 IGBT 驱动器 |
| IGBT/MOSFET 门极驱动器光耦合器 |
利用 Optoplanar® 共平面封装工艺和优化集成电路设计的光电子 IGBT/MOSFET 门极驱动器， 可实现高绝缘电压和高抗扰型，并且具有高共模抑制特性。 这些器件提供了 1,414 V 峰值工作电压，可允许器件直接驱动中等功率 IGBT。 在开关该电流方案期间，P 沟道 MOSFET 在输出级的使用实现了每个周期更低的动态功耗。 |
| 高性能光耦合器 | 安森美半导体的 3.3V/5V 高速逻辑门极光耦合器支持系统之间的隔离式通信， 而无需导通接地回路或危险电压。每个高速光耦合器都使用安森美半导体的 专利共平面封装工艺 Optoplanar® 和优化的设计。因此实现了 极佳抗扰性，并且具有高共模瞬变抗扰性和电源抑制规格特性， 使得这些器件能够在干扰较大的工业环境中运行（比与我们最接近竞争对手的性能高出 100%） |
| 运算放大器 (Op Amp) | 安森美半导体广泛的运算放大器 (Op Amp) 产品阵容采用高性能器件， 其中包括低功耗、低噪声、精确、功率和通用运算放大器。这些都是专门为了满足各种应用要求而设计的，如 信号调节、汽车、电池供电、医疗和电流感应等 |
| 电流感应放大器 | 电流感应需要准确的测量，安森美半导体的电流感应放大器提供了 高精度电流感应，以及宽输入共模范围、 双向电流感应和高/低边电流感应等优点 |
| 智能电源模块 (IPM) | 逆变器 IPM，紧凑型 IPM，二合一 PFC IPM |
| 交错式功率因数 控制器 |
可变 CRM、CCM 和 DCM 功率因数控制器，可实现功率因数校正 |
| DC-DC 控制器、转换器和 稳压器 |
DC-DC 控制器和转换器、线性稳压器、端接稳压器、充电泵和电池充电控制器 |
相关信息
| 应用注释 | 说明 |
|---|---|
| 交错式 PFC 控制器 | 交错式 PFC 控制器应用注释的筛选列表 |
| MOSFET | MOSFET 应用注释的筛选列表 |
| IGBT | 无电刷电机驱动器应用注释的筛选列表 |
| MOSFET/IGBT 驱动器 | 步进电机驱动器应用注释的筛选列表 |
| IGBT/MOSFET 门极驱动器光耦合器 |
IGBT/MOSFET 门极驱动器光耦合器应用注释的筛选列表 |
| 高性能光耦合器 | 高性能光耦合器应用注释的筛选列表 |
| 运算放大器 (Op Amp) | 运算放大器 (Op Amp) 应用注释的筛选列表 |
| 智能电源模块 (IPM) | IPM 应用注释的筛选列表 |
| DC-DC 控制器、转换器和 稳压器 |
DC-DC 控制器、转换器和稳压器应用注释的筛选列表 |
评估板和套件
| 评估板 | 说明 |
|---|---|
| 交错式 PFC 控制器 | PFC 控制器的评估/开发工具 |
| 智能电源模块 (IPM) | 智能电源模块 (IPM) 的评估/开发工具 |
| MOSFET/IGBT 驱动器 | MOSFET/IGBT 驱动器的评估/开发工具 |
| IGBT/MOSFET 门极驱动器光耦合器 |
IGBT/MOSFET 门极驱动器光耦合器的评估/开发工具 |
