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Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

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安森美半导体的碳化硅 (SiC) MOSFET阵容设计用于实现快速而强固的设计。SiC MOSFET的介电击穿场强高10倍,电子饱和速度高2倍,能量带隙高3倍,热导率高3倍。 安森美半导体的所有SiC MOSFET都包括AEC-Q101认证和符合生产件批准程序(PPAP)的针对汽车和工业应用而设计和认证的选项。 系统优势包括:更低功率损耗,更高功率密度,更高工作频率,更高工作温度,更低EMI,最重要的是更小系统尺寸和成本,从而提高能效。

产品系列

650 V SiC MOSFETs

安森美半导体的650 V SiC MOSFET阵容。

900 V SiC MOSFET

安森美半导体的900 V SiC MOSFET阵容。

1200 V SiC MOSFET

安森美半导体的1200 V SiC MOSFET阵容。

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