Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

安森美半导体的碳化硅 (SiC) MOSFET阵容设计用于实现快速而强固的设计。SiC MOSFET的介电击穿场强高10倍，电子饱和速度高2倍，能量带隙高3倍，热导率高3倍。 安森美半导体的所有SiC MOSFET都包括AEC-Q101认证和符合生产件批准程序(PPAP)的针对汽车和工业应用而设计和认证的选项。 系统优势包括：更低功率损耗，更高功率密度，更高工作频率，更高工作温度，更低EMI，最重要的是更小系统尺寸和成本，从而提高能效。