MOSFET/IGBT驱动器
安森美半导体的门极驱动器阵容包括氮化镓(GaN)、IGBT、FET、MOSFET、H桥MOSFET和碳化硅(SiC) MOSFET逆变和非逆变驱动器，非常适合开关应用。安森美半导体的门极驱动器提供的特性和优势包括：IGBT 米勒(Miller)平台电压下的高系统能效、高可靠性、高电流输出，精确匹配的短传输延迟、高瞬态和电磁抗扰性，带软关断的去饱和(DESAT)，有源米勒钳位和负门极电压，短路保护周期和自清除等。安森美半导体的门极驱动器阵容提供的理想性能特征使其能够满足特定应用的要求，包括汽车电源、混动/电动汽车(HEV / EV)牵引逆变器、EV充电器、谐振转换器、半桥和全桥转换器、有源钳位反激式转换器、图腾柱无桥PFC、太阳能逆变器、电机控制、不间断电源(UPS)、工业电源、焊接、单电源同步降压转换器、OLED电视电源、大功率游戏适配器、服务器/云数据中心离线电源、工业逆变器和电机驱动器以及台式计算机。门极驱动器阵容还包括AEC-Q101认证和符合生产件批准程序(PPAP)的专为汽车行业应用设计和认证的选项。
SECO-GDBB-GEVB
门极驱动器即插即用生态系统
NCP51705SMDGEVB
NCP51705 迷你SMD评估板
SEC-NCV51530HB-GEVB
NCP51530半桥评估板
博客
为GaN功率晶体管匹配门极驱动器
节能倡议，如企业服务器和云数据中心电源的“ 80+ Titanium”