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锡须

抑制策略

将引脚电镀材料由锡铅改为100%雾锡在业界引发业界对锡须生长的关注。安森美半导体已运用下列抑制策略来将出现的锡须减至最少。

锡须测试

安森美半导体已经遵照JEDEC标准JESD22A121的指引进行锡须测。安森美半导体使用42合金及带雾锡引脚镀层的铜引线框材料在封装上进行了测试。使用了三项测试条件来评估锡须生长:温度循环测试(-55/+85°C)、30°C/60%RH环境温度存储及60°C/87%RH时的高温/高湿度存储。


安森美半导体的内部锡须接受规格为最大长度50 µ。迄今进行的所有锡须测试都符合这个规格。


安森美半导体的封装厂提供锡须测试基线结果。可点击下列各个报告来下载。

安森美半导体乐山工厂在42合金引线框上使用雾锡电镀之锡须报告
安森美半导体Seremban工厂在42合金引线框上使用雾锡电镀之锡须报告
安森美半导体Seremban工厂在铜引线框上使用雾锡电镀之锡须报告
安森美半导体Carmona工厂在铜引线框上使用雾锡电镀之锡须报告

锡须应用注释

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