能源储存

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赋能下一代BESS系统设计

我们在电源管理领域领先多年的专业经验能帮助您应对设计挑战。

完整的端到端供应链

查看了解我们对碳化硅生产价值链的全面控制。

方案

安森美在可再生能源生产、电源管理和能源转换方面的深厚经验技术和业内领先实力，可帮助全球的客户应对在能源储存系统方面的挑战。我们为电网的发展量身打造解决方案。

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碳化硅MOSFET

更高速的开关，更紧凑的终端产品

相比于行业领先的同类产品，1200V M3S SiC MOSFET可减少硬开关应用中高达20%的功率损耗。

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碳化硅模块

全碳化硅和混合碳化硅模块

我们优化的封装工艺为您带来

  • 卓越的性能
  • 比分立器件更低的热阻
  • 易于安装的封装 以适应行业标准的引脚
混合模块 全碳化硅模块

安森美碳化硅二极管系列

系列名称

电压

优化

最佳应用

D1

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650V, 1200V, 1700V

大尺寸晶片低电阻以及最高浪涌电流额定值

  • Vienna整流器输入级

更多详情

D2

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650V

低Vf的高速开关

  • PFC级
  • 输出整流

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D3

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1200V

低Vf的高速开关

  • PFC级
  • 输出整流

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    安森美碳化硅MOSFET系列

    系列名称

    电压

    优化

    最佳应用

    M1

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    1200V, 1700V

    大尺寸晶片低电阻


    开关损耗和传导损耗的平衡

    • DC-DC固态继电器
    • 主驱&电机驱动器
    • 硬开关应用

    更多详情

    M2

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    650V, 900V

    低速应用的最低RDS(ON)

    • DC-DC固态继电器
    • 主驱&电机驱动器

    更多详情

    M3

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    1200V

    配备15V-18V栅极驱动器的快速开关应用

    • 硬开关应用
    • LLC谐振应用

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      评估/开发套件

      SECO-GDBB-GEVB

      栅极驱动器plug-and-play生态系统能够比较不同栅极驱动器和技术之间的动态性能和功能，比如NCD57XXX、NCP51561和NCP51530。

      NCP-NCV51561TO2473LGEVB

      NCP5156x是隔离式双通道栅极驱动器，分别具有4.5−A/9−A拉电流和灌电流峰值。

      NCP-NCV51563D2PAK7LGEVB

      NCP-NCV51563D2PAK7LGEVB是用于NCP/NCV51563的评估板，由NCP51563和2个碳化硅MOSFET以标准D2PAK-7L封装构成。

      SECO-HVDCDC1362-15W-GEVB

      SECO-HVDCDC1362-15W-GEVB是高效率、初级侧调节（PSR）辅助电源，适用于混动车和电动车动力总成。

      SECO-HVDCDC1362-40W-GEVB

      SECO-HVDCDC1362-40W-GEVB是高效率、初级侧调节（PSR）辅助电源，适用于混动车和电动车动力总成。

      SEC-3PH-11-OBC-EVB

      SEC-3PH-11-OBC-EVB是三相车载充电机（OBC）参考设计平台，以AEC认证的碳化硅功率器件和驱动器，实现最先进的系统效率。

      技术文档

      使用物理和可扩展的仿真模型来评估参数和应用结果

      物理、可扩展的建模技术是一种基于工艺和布局参数的先进SPICE建模方法，通过SPICE、物理设计和工艺技术之间的直接联系实现设计优化。

      IGBT的质量和可靠性

      在当今的半导体市场上，产品质量和可靠性是决定一个公司成功与否的两个重要因素。

      设计关键点：在数字隔离器或光耦合器之间做出选择

      随着能源需求的扩增，电流和电压值也随之上升。更高的电压在许多应用甚至一些独立应用中都更为常见。

      PIM模块（Q0, Q1, Q2, F1, F2）的安装说明

      本应用说明介绍了使用Q0、Q1、Q2、F1、F2封装的安森美功率集成模块（PIM）的安装说明。

      高效率DC-DC转换器模块

      NCP12700是用于单端开关模式电源（SMPS）的固定频率、峰值电流模式的PWM控制器。

      阅读安森美IGBT数据手册

      绝缘栅双极型晶体管是一种功率开关，非常适合于高功率应用，如电机控制、UPS和太阳能逆变器、感应加热。

      标准栅极驱动器光耦合器

      FOD31xx系列栅极驱动器的功能是作为一个电源缓冲器，控制功率MOSFET或IGBT的栅极。

      MOSFET基础知识

      双极型功率晶体管（BPT）作为功率应用的开关器件，存在着一些缺点，从而推动了金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的发展。

      安森美M1 1200V碳化硅MOSFET模块：特点和驱动建议

      该文档介绍了安森美M1 1200V碳化硅MOSFET的关键特性以及驱动条件带来的影响。作为安森美的宽禁带全生态系统的一部分，本文为在碳化硅MOSFET上使用隔离式栅极驱动器提供了指南。

      电隔离式栅极驱动器设计提示

      该应用说明介绍了安森美的电隔离式栅极驱动器在系统运用中的一些参数、功能和设计提示。

      适用于现代功率电子器件的基于物理的可扩展SPICE建模方式

      该文档介绍了安森美的基于物理的可扩展SPICE模型如何提升您的仿真结果水平，从而缩短上市时间。

      碳化硅MOSFET：栅极驱动优化

      该文档重点介绍了与碳化硅MOSFET相关的独特器件特性，并就碳化硅开关性能最大化和系统级考量，讨论了优化栅极驱动的关键设计要求。

      功率器件封装散热器安装指南

      该文档提供了关于安装散热器进行热管理的指南，介绍了散热器的安装方法、注意事项，以及各种封装的接触热阻和安装扭矩。

      关于使用隔离式栅极驱动器以高效驱动碳化硅MOSFET的指南

      碳化硅MOSFET已开始逐渐取代IGBT在功率应用中的地位。碳化硅等技术要求隔离式栅极驱动器通过对IGBT和MOSFET提供可靠的控制，实现最快的开关速度，以及解决系统尺寸限制问题。本应用说明着重介绍栅极驱动电压的优化设计，从而将开关损耗降到最低，充分发挥器件的优势。

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