韩国，富川
生产工厂
我们在富川有两座晶圆厂，具备150,000平方英尺（约合13,935平方米）洁净室，总占地面积11英亩（约合44,515平方米），建筑面积800,000平方英尺（约合74,322平方米）。
晶圆工艺:
- 6英寸、8英寸
出产:
- 0.18um至2um沟槽型MOSFET、沟槽型IGBT、平面型MOSFET、超级结、超薄研磨、BCDMOS、碳化硅
成立背景:
- 于2016年收购仙童半导体后取得
认证资格
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