Vertical GaN
先锋技术，引领变革
安森美先锋技术驱动AI和电气化的下一次飞跃
AI和电气化的突破性技术
安森美的垂直氮化镓（vGaN）技术是一项突破性的功率半导体技术，带来创纪录的效率、功率密度和耐用性，满足AI和电气化时代的应用需求。
这一技术由安森美位于纽约州锡拉丘兹的工厂研发和制造。新一代“GaN-on-GaN”功率半导体能够使电流垂直流经芯片而非沿表面横向流动，从而在更小尺寸的双面散热封装中实现优秀的性能表现。
精选资源
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什么是vGaN？
新一代GaN-on-GaN功率半导体能够使电流垂直流过，提供更高的功率密度和工作效率，是用于AI数据中心、电动汽车（EV）、可再生能源，以及航空航天等领域的理想产品。
安森美vGaN特性
更高功率密度
可达1200V及以上
更高能效
更低的能量损耗和发热量，效率提升50%以上
更紧凑的系统
终端系统占位更少、重量更轻
一流的生产制造工艺
纽约州锡拉丘兹工厂占地66,000平方英尺，掌握专有技术工艺，在氮化镓衬底上直接生成氮化镓层
创新封装技术
双面散热封装
引领未来
vGaN技术支持的开关频率远高于传统方案
关键技术应用
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