​更快捷,更智能

行业首款网页端工具,实现栅极驱动器和电源开关的智能配对。 Elite Pairing Studio智能配对工具能够推荐我们的EliteSiC MOSFET栅极驱动器的最佳匹配方案,在几秒钟内评估所有栅极驱动器,决策速度提升10倍,实现更高性能的电源设计。

如果您在使用这款工具的过程中有任何问题,请联系我们

资源和产品

Elite Pairing Studio智能配对工具,快速完成安森美SiC MOSFET栅极驱动器多个组合的评估,比单独评估的速度提升10倍。

用户指南

用户指南讲解如何高效利用Elite Pairing Studio快速对多个EliteSiC MOSFET 和栅极驱动器组合进行评估。

应用说明

Elite Pairing Studio可分析SiC MOSFET驱动器的兼容性,为精确的电源设计决策提供指导。

碳化硅MOSFET

SiC MOSFET具有高速坚固耐用的特性,实现高效率、减小系统尺寸和成本等系统优势。

栅极驱动器

栅极驱动器将控制信号连接到电源开关。了解我们具有先进功能的隔离和非隔离驱动器产品组合。

智能省心的工作流程

Elite Pairing Studio会根据电气性能为所选器件自动评估每个兼容的栅极驱动器。

选择

根据计算指标(如损耗和时序)以及栅极驱动器属性(包括电源电压范围和价格)对结果进行排序,以数据为基础即时生成筛选后的清单,省去手动比对数据表的冗繁过程。

仿真

在仿真环节中,Elite Pairing Studio利用安森美基于物理的SPICE模型,为选定的MOSFET和栅极驱动器组合生成详细的开关波形。工程师可以即刻看到这一组合在实际工作条件下的表现。

分析

最后,Elite Pairing Studio将对仿真结果进行整合,对每个栅极驱动器与配对的SiC MOSFET的性能进行清晰的比较。工程师可以获得以数据为基石的设计洞见,更加便捷地筛选出最适合其设计的解决方案。

视频教程

Elite Pairing Studio智能配对工具FAQ

业内首款网页端工具,用于识别、仿真和分析与安森美SiC MOSFET兼容的栅极驱动器。

结合器件电气参数如栅极电荷、驱动强度、开关特性和安全运行边界等对组合进行计算。

Yes. The tool uses onsemi’s physical validated SiC MOSFET SPICE and gate driver behavioral models to reflect realistic device behavior under typical operating conditions.​

总线电压、栅极电阻和负载条件等关键参数均可以调整,以观察它们对开关性能的影响。

无需安装。Elite Pairing Studio能够在浏览器中运行,是安森美设计工具生态系统的一部分。

这一工具的工作流程主要针对碳化硅MOSFET和栅极驱动器的配对。在不久的将来还将支持其他器件系列,如硅MOSFET 和IGBT。

通过自动进行器件组合检查、即时生成波形和整合分析,Elite Pairing Studio减少了手动检查数据表和仿真设置时间。

排名基于电气组合、开关性能、驱动能力以及在典型运行条件下的预期效率。

通过MyON账户登录后使用Elite Pairing Studio,只有您才能查看您自己的成果。

可以,仅在您完成仿真后,Elite Pairing Studio将保存您的工作。

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