IGBTs | FGH4L50T65SQD

IGBT - 650V 50A FS4 高速IGBT，带copack二极管

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安森美场截止型第四代IGBT系列通过平衡Vce(sat)和Eoff损耗以及可控关断Vce 过冲来提供最佳性能，非常适合光伏逆变器、UPS、电动汽车充电站、ESS和其他高性能电源转换应用。

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MSL Type

MSL Temp (°C)

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Container Qty.

ON Target

Family

V(BR)CES Typ (V)

IC Max (A)

VCE(sat) Typ (V)

VF Typ (V)

Eoff Typ (mJ)

Eon Typ (mJ)

Trr Typ (ns)

Irr Typ (A)

Gate Charge Typ (nC)

Short Circuit Withstand (µs)

EAS Typ (mJ)

PD Max (W)

Co-Packaged Diode

参考价格

FGH4L50T65SQD

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CAD Model

Pb

A

H

P

TO-247-4

340CJ

NA

0

TUBE

450

No

-

650

50

1.6

2.1

0.44

0.66

29

14

92

~NA~

~NA~

268

Yes

$2.096

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Device: FGH4L50T65SQD

Equivalent to wafer fab process: 3B,IJ

产品技术

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等效器件小时

平均故障间隔时间/平均无故障时间（按小时计算）

FITS

3B,IJ

1

6249407224

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Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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