IGBTs | FGY160T65S_F085

IGBT，650V，160A 场截止，带软快速恢复二极管的沟槽

量产中

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概览

  • 适用于汽车
  • 非常低的饱和电压： VCE(sat) = 1.6 V（典型值） @ IC = 160 A
  • 最高结温： TJ = 175 °C
  • 正温度系数
  • 紧密的参数分布
  • 高输入阻抗
  • 部件 100% 进行动态检测
  • 短路耐用性 > 6 us @ 25 °C
  • 与快速软恢复极快速二极管共封装

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MSL Temp (°C)

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Family

V(BR)CES Typ (V)

IC Max (A)

VCE(sat) Typ (V)

VF Typ (V)

Eoff Typ (mJ)

Eon Typ (mJ)

Trr Typ (ns)

Irr Typ (A)

Gate Charge Typ (nC)

Short Circuit Withstand (µs)

EAS Typ (mJ)

PD Max (W)

Co-Packaged Diode

参考价格

FGY160T65SPD-F085

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量产中

CAD Model

Pb

A

H

P

TO-247-3

340CU

NA

0

TUBE

450

No

-

650

240

-

1.4

5.7

12.4

132

-

163

6

-

882

-

$7.7378

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Device: FGY160T65SPD-F085

Equivalent to wafer fab process: 3B,IJ

产品技术

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等效器件小时

平均故障间隔时间/平均无故障时间（按小时计算）

FITS

3B,IJ

1

6249407224

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Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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