IGBTs | HGTG30N60B3

IGBT，600V，PT

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HGTG30N60B3 结合了 MOSFET 的高输入阻抗，以及双极晶体管的低导通状态损耗最佳特性。此 IGBT 适用于低导通损耗至关重要的、在中等频率下运行的多种高电压开关应用，如 UPS、太阳能逆变器和电源。

  • 发电和配电
  • 30 A、600 V、TC= 110°C
  • 低饱和电压： VCE(sat)=1.45 V，需 IC=30 A
  • 典型下降时间。 . . . . . . . TJ=150°C 时为 90ns
  • 短路额定值
  • 低导通损耗

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Container Qty.

ON Target

Family

V(BR)CES Typ (V)

IC Max (A)

VCE(sat) Typ (V)

VF Typ (V)

Eoff Typ (mJ)

Eon Typ (mJ)

Trr Typ (ns)

Irr Typ (A)

Gate Charge Typ (nC)

Short Circuit Withstand (µs)

EAS Typ (mJ)

PD Max (W)

Co-Packaged Diode

参考价格

HGTG30N60B3

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CAD Model

Pb

A

H

P

TO-247-3

340CK

NA

0

TUBE

450

No

-

600

30

1.45

-

0.68

0.5

-

-

170

-

100

208

No

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Device: HGTG30N60B3

Equivalent to wafer fab process: IGBT

产品技术

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等效器件小时

平均故障间隔时间/平均无故障时间（按小时计算）

FITS

IGBT

3

4562573939

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Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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