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IGBTs | HGTG30N60B3
概览
HGTG30N60B3 结合了 MOSFET 的高输入阻抗，以及双极晶体管的低导通状态损耗最佳特性。此 IGBT 适用于低导通损耗至关重要的、在中等频率下运行的多种高电压开关应用，如 UPS、太阳能逆变器和电源。
- 发电和配电
- 30 A、600 V、TC= 110°C
- 低饱和电压： VCE(sat)=1.45 V，需 IC=30 A
- 典型下降时间。 . . . . . . . TJ=150°C 时为 90ns
- 短路额定值
- 低导通损耗
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HGTG30N60B3
Pb
A
H
P
TO-247-3
NA
0
TUBE
450
N
-
600
30
1.45
-
0.68
0.5
-
-
170
-
100
208
No
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