IGBTs | HGTG30N60C3D

600V, PT IGBT

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HGTG30N60C3D 是一款 MOS 门控高压开关器件，它充分融合了 MOSFET 和双极晶体管的最佳功能。 该器件具有 MOSFET 的高输入阻抗以及双极晶体管的低通态导通损耗。 非常低的通态压降仅在 25°C 到 150°C 之间适度变化。使用的 IGBT 是开发类型 TA49051。 反向并联 IGBT 使用的二极管是开发类型 TA49053。 该IGBT非常适合许多工作频率中等，而低传导损耗又至关重要的高压开关应用。 以前的开发类型为 TA49014。

  • 其他工业
  • 63A, 600V, TC = 25°C
  • 典型下降时间： 230ns @ TJ = 150°C
  • 短路额定值
  • 低导通损耗
  • 超快反向并联二极管

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ON Target

Family

V(BR)CES Typ (V)

IC Max (A)

VCE(sat) Typ (V)

VF Typ (V)

Eoff Typ (mJ)

Eon Typ (mJ)

Trr Typ (ns)

Irr Typ (A)

Gate Charge Typ (nC)

Short Circuit Withstand (µs)

EAS Typ (mJ)

PD Max (W)

Co-Packaged Diode

参考价格

HGTG30N60C3D

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Pb

A

H

P

TO-247-3

340CK

NA

0

TUBE

450

No

-

600

30

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52

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Yes

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Device: HGTG30N60C3D

Equivalent to wafer fab process: 2F,3B

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等效器件小时

平均故障间隔时间/平均无故障时间（按小时计算）

FITS

2F,3B

0

552010123

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Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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