Low/Medium Voltage MOSFETs | FDP6030BL
概览
此 N 沟道逻辑电平 MOSFET 专为提高 DC/DC 转换器的总体效能而设计，可以使用同步开关 PWM 控制器，也可以使用传统开关 PWM 控制器。与具有相当的 RDS(on) 规格的其他 MOSFET 相比，此类 MOSFET 开关速度更快，门极电荷更低，因此 DC/DC 电源设计具有更高的总体效能。
- This product is general usage and suitable for many different applications.
- 40 A，30 V
- RDS(ON) = 0.018 Ω @ VGS = 10 V
- RDS(ON) = 0.024 Ω @ VGS = 4.5 V
- 在高温下指定的临界DC电气参数。
- 耐用的内部源极-漏极二极管使得无需使用外部齐纳二极管瞬态抑制器。
- 高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON).
- 175°C最大结温额定值。
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