单 N 沟道,功率 MOSFET,60V,A,0.68mΩ,PQFN 8x8

概览

此 N 沟道 T6 60V MV MOSFET 是使用安森美半导体先进的 Power Trench 工艺生产的,该工艺结合了屏蔽门极技术。此工艺经过了优化,可最大程度降低导通电阻,同时可保持卓越的开关性能,以及业内最佳的软体二极管。

  • Motor Control
  • DC-DC Converters
  • Battery Management/Protection
  • Power Steering/ Load Switch
  • Power Tools, E-Scooters, Drones
  • Battery Packs/ Energy Storage Units
  • Telecom, Netcom
  • Power Supplies
  • Very Low RDS(on), Shielded Gate Trench Technology
  • Low Profile PQFN 8x8 package
  • Maximum junction temperature of 175C
  • RoHS Compliant

工具和资源

与NTMTS0D7N06CL相关的产品服务、工具和其他资源

产品参数及购买信息

搜寻

Close Search

产品:

1

分享

产品系列:

可订购器件:

1

产品

状态

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Vgs (V)

Vgs(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

参考价格

NTMTS0D7N06CLTXG

量产中

CAD Model

Pb

A

H

P

DFNW-8

1

260

REEL

3000

Yes

N-Channel

PowerTrench® T6

Power 88

Low-Medium Voltage

Logic

0

Single

0

60

0.68

20

2.5

464

5

-

0.9

103

225

16200

20.7

307

8490

270

$1.5942

More Details

Show More

1-25 of 25

Products per page

Jump to :

contact sales icon

支持服务

联系安森美销售团队获得支持,查询或者对比产品细节。