N沟道增强模式场效应晶体管60V,0.115A,7.5Ω

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这款N沟道增强模式MOSFET采用专有的高单元密度DMOS技术生产。该产品的设计可在最大程度减少导通电阻的同时提供稳固、可靠和快速开关的性能表现。2N7002可用于需要高达400mA直流电的大多数应用,并可提供高达2A的脉冲电流。本产品特别适合于低电压、低电流的应用,如小型伺服电机控制、功率MOSFET栅极驱动器和其他开关应用。

  • 本产品为通用产品,适合各类不同应用。
  • 小型伺服电机控制
  • 功率MOSFET栅极驱动器

  • 高密度单元设计可实现极低的 RDS(ON)
  • 电压控制的小型信号开关。
  • 稳固可靠。
  • 高饱和电流能力。

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产品

状态

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

Active

CAD Model

Pb

A

H

P

SOT-23 (TO-236) 2.90x1.30x1.00, 1.90P

1

260

REEL

3000

N

N-Channel

PowerTrench® T1

SOT-23

Small Signal

Logic

0

Single

0

60

7500

±20

2.5

0.115

0.2

-

7500

-

1

20

-

-

11

4

$0.1013

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