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Small Signal MOSFETs | FDC6321C
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此类双 N 和 P 沟道逻辑电平增强型场效应晶体管是使用高单元密度的 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件适合在低压应用中替代负载开关应用中的数字晶体管。因为无需偏置电阻，所以此类双数字 FET 可以替代若干具有各种偏置电阻的数字晶体管。
- This product is general usage and suitable for many different applications.
- N-Ch 25 V, 0.68 A, RDS(ON) = 0.45 Ω @ VGS= 4.5 V
- P-Ch -25 V, -0.46 A, RDS(ON) = 1.1 Ω @ VGS= -4.5 V.
- 极低的栅极驱动要求允许3V电路的直接运行。 VGS(th)< 1.0V。
- 栅-源齐纳二极管增强耐静电放电(ESD)能力。 >6kV人体模型
- 替代多个双通道NPN & PNP数字晶体管。
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FDC6321C
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A
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TSOT-23-6
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260
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3000
Y
Complementary
PowerTrench® T1
SC-6
Small Signal
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Dual
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N: 0.68 , P: -0.46
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N: 600, P:1500
N: 450, P:1100
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1.1
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