Small Signal MOSFETs | FDD3706

N 沟道，PowerTrench® MOSFET，20V，50A，9mΩ

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此 N 沟道 MOSFET 专为提高 DC/DC 转换器的总能效而设计，可以使用同步开关 PWM 控制器，也可以使用传统开关 PWM 控制器。它经过了优化，在小型封装中实现了低门极电荷、快速开关和极低 RDS(ON)。

  • This product is general usage and suitable for many different applications.
  • -50 A，-20V。
  • RDS(ON) = 9 mΩ @ VGS = 10 V
  • RDS(ON) = 11 mΩ @ VGS = 4.5 V
  • RDS(ON) = 16 mΩ（VGS = -2.5V
    ）
  • 低栅极电荷（16nC，典型值）
  • 快速开关速度
  • 高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)

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Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

参考价格

FDD3706

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已停产

CAD Model

Pb

A

H

P

DPAK-3 / TO-252-3

369AS

1

260

REEL

2500

No

N-Channel

PowerTrench® T1

TO-252-3

Small Signal

Logic

0

Single

0

20

9

12

1.5

50

44

16

11

-

16

1882

-

-

-

-

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Die Related Summary Data

Device: FDD3706

Equivalent to wafer fab process: T1

产品技术

产品技术

等效器件小时

平均故障间隔时间/平均无故障时间（按小时计算）

FITS

T1

0

98172163

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Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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