Small Signal MOSFETs | FDFS6N754

集成式 N 沟道，Power Trench® MOSFET 和肖特基二极管，30V，4A，56mΩ

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FDFS6N754 在 SO-8 封装内将 PowerTrench MOSFET 工艺的卓越性能与极低正电压降的肖特基势垒整流器相结合。此器件特别适合用作 DC-DC 转换器的单封装方案。它具有快速开关、低门极电荷 MOSFET，且导通电阻极低。独立联接的肖特基二极管使其可用于各种 DC/DC 转换器拓扑结构。

  • This product is general usage and suitable for many different applications.

  • 最大DS(on) = 56mΩ（VGS = 0V且ID= 4A时）
  • 最大rDS(on) = 75mΩ（VGS= 4.5V且ID = 3.5A时）
  • VF 0.45V (2A)
  • VF 0.28V (100mA)
  • 肖特基二极管和MOSFET整合在单电源表面贴装SO-8封装中
  • 在电气上独立的肖特基二极管和MOSFET引脚可实现设计上的灵活性
  • 低栅极电荷(Qg = 4nC)
  • 低米勒电荷

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Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FDFS6N754

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Obsolete

CAD Model

Pb

A

H

P

SOIC-8

751EB

1

260

REEL

2500

N

N-Channel

PowerTrench® T1

NA

Small Signal

Logic

0

with Schottky Diode

0

30

56

20

2.5

4

2

NA

-

3.3

2

NA

-

-

-

-

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