方案
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Small Signal MOSFETs | FDG1024NZ
概览
此双 N 沟道逻辑电平增强型场效应晶体管是使用高单元密度的 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件是专为在低压应用中替代双极数字晶体管和小信号 MOSFET 而设计的。因为无需偏置电阻，所以此类双数字 FET 可以替代若干具有各种偏置电阻值的数字晶体管。
- This product is general usage and suitable for many different applications.
- VGS = 4.5 V，ID = 1.2 A时，rDS(on) = 175 mO（最大值）
- VGS = 2.5 V，ID = 1.0 A时，rDS(on) = 215 mO（最大值）
- VGS = 1.8 V，ID = 0.9 A时，rDS(on) = 270 mO（最大值）
- VGS = 1.5 V，ID = 0.8 A时，rDS(on) = 389 mO（最大值）
- HBM静电放电保护等级为>2kV（注3）
- 极低电平的栅极驱动要求允许在 1.5 V 电路 (VGS(th) < 1 V) 中进行操作
- 非常小的封装尺寸SC70-6
- 符合RoHS标准
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FDG1024NZ
Pb
A
H
P
SC-88-6 / SC-70-6 / SOT-363-6
1
260
REEL
3000
N
N-Channel
PowerTrench® T1
SC-6
Small Signal
Logic
0
Dual
0
20
-
8
1
1.2
0.36
Q1=Q2=215
Q1=Q2=175
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1.8
115
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