双N沟道数字FET

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概览

这些双N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管采用飞兆半导体专有的高电池密度DMOS技术生产。 这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低导通阻抗而定制的。 该器件特别为低电压应用设计,以替代双极数字晶体管和小信号MOSFETS。

  • This product is general usage and suitable for many different applications.

  • 25V、0.50A(连续值)、1.5A(峰值)。
  • RDS(ON) = 0.45 Ω @ VGS = 4.5 V,
  • RDS(ON) = 0.60 Ω @ VGS = 2.7 V。
  • 电平栅极驱动要求极低,从而可在3V电路中直接运行(VGS(th)< 1.5 V)。
  • 栅-源齐纳二极管增强耐静电放电(ESD)能力(>6kV人体模型)。
  • 紧凑的工业标准SC70-6表面贴装封装。

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CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

CAD Model

Pb

A

H

P

SC-88-6 / SC-70-6 / SOT-363-6

1

260

REEL

3000

N

N-Channel

PowerTrench® T1

SC-6

Small Signal

Logic

0

Dual

0

25

-

8

1.5

0.5

0.3

Q1=Q2=600

Q1=Q2=450

1.4

1.64

50

-

-

-

-

$0.1056

More Details

FDG6303N-F169

CAD Model

Pb

A

H

P

SC-88-6 / SC-70-6 / SOT-363-6

1

260

REEL

3000

N

N-Channel

PowerTrench® T1

NA

Small Signal

Logic

0

Dual

0

25

-

8

8

0.5

0.3

600

450

1.64

1.64

50

0.45

-

28

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