Small Signal MOSFETs | FDN359BN
概览
此 N 沟道逻辑电平 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持出色的开关性能。此类器件非常适用于要求线内低功率损耗和快速开关的低电压和电池供电应用。
- This product is general usage and suitable for many different applications.
- Battery Powered Circuits
- 2.7 A，30 V。
- RDS(ON)= 0.046 Ω @ VGS = 10 V
- RDS(ON) = 0.060 Ω @ VGS = 4.5 V
- 开关速度非常快。
- 低栅极电荷（5nC典型值）
- 高性能版本的工业标准SOT-23封装。 相同的SOT-23插脚引线高出30%的功率处理能力。
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