Small Signal MOSFETs | FDS6900AS

双 N 沟道 PowerTrench® SyncFET™ 30V

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FDS6900AS 用于替代同步 DC:DC 电源中的两个单 SO-8 MOSFET 和肖特基二极管，该电源可为笔记本电脑和其他电池供电电子设备提供各种外围电压。FDS6900AS 包含两个不同的 30V，N 沟道，逻辑电平，PowerTrench MOSFET，用于最大程度提高电源转换效率。该高压侧开关 (Q1) 在设计上特别强调了降低开关损耗，而低压侧开关(Q2) 经过优化可降低导通损耗。Q2 还包括了一个使用安森美半导体单片 SyncFET 技术的集成式肖特基二极管。

  • This product is general usage and suitable for many different applications.
  • Q2： 经优化以最大限度地降低传导损耗 包含SyncFET肖特基体二极管
    8.2A，30V RDS(on) = 22 mΩ @ VGS = 10V
    RDS(on) = 28mΩ @ VGS = 4.5V
  • Q1： 针对低开关损耗而优化 低栅极电荷（11nC典型值）
    6.9A，30V RDS(on) = 27 mΩ @ VGS = 10V
    RDS(on) = 34mΩ @ VGS = 4.5V
  • 100% RG (Gate Resistance) Tested

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MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

参考价格

FDS6900AS

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CAD Model

Pb

A

H

P

SOIC-8

751EB

1

260

REEL

2500

No

N-Channel

PowerTrench® T1

SOIC-8

Small Signal

Logic

0

Dual

0

30

Q1: 27, Q2; 22

20

3

Q1: 6.9, Q2: 8.2

2

NA

-

9

5.8

NA

-

-

-

-

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Device: FDS6900AS

Equivalent to wafer fab process: T3

产品技术

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等效器件小时

平均故障间隔时间/平均无故障时间（按小时计算）

FITS

T3

0

705279432

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Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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