Small Signal MOSFETs | FDS8449_F085

N 沟道，PowerTrench® MOSFET，40V，7.6A，29mΩ

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此类 N 沟道 MOSFET 使用先进的 PowerTrench® 工艺生产，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。

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  • 7.6 A、40 V RDS(on) = 29 mΩ (VGS = 10 V)
  • 7.6 A, 40V RDS(on) = 36mΩ @ VGS = 4.5V
  • Typical Qg(TOT) = 7.7 nC at VGS = 5 V, ID = 7.6 A
  • 符合 RoHS 标准
  • 符合 AEC Q101

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Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

参考价格

FDS8449-F085

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CAD Model

Pb

A

H

P

SOIC-8

751EB

1

260

REEL

2500

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PowerTrench® T1

SOIC-8

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FDS8449-F085P

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PowerTrench® T1

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Device: FDS8449-F085

Equivalent to wafer fab process: T5

产品技术

产品技术

等效器件小时

平均故障间隔时间/平均无故障时间（按小时计算）

FITS

T5

0

1870813094

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Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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