Small Signal MOSFETs | FDSS2407

N 沟道逻辑电平门极双 MOSFET 60V，3.3A，132mΩ

Obsolete

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此双 N 沟道 MOSFET 相比传统的功率 MOSFET 增加了一些功能。其中包括：1. 漏极至源极电压反馈信号，以及 2. 以前需要外部分立电路的门极驱动禁用控制功能。在 MOSFET 中包含这些功能可节省印刷电路板空间。当漏极至源极电压高于 62V 时，漏极至源极电压反馈功能会提供 5V 电平输出。这可以监测电感负载消耗其储存能量的时间。多个反馈信号可以“或”连接到监视电路的单个输入。门极禁用功能允许无需门极驱动信号即可实现器件关断。该功能使得第二个控制电路能在必要时停用负载。它还可以进行“或”接线，从而可以通过一个开路集电极/漏极控制晶体管来控制多个器件。

  • 传动系
  • Automotive Injector Driver
  • Solenoid Driver

  • 62V，132m，5V逻辑电平栅极双MOSFET，采用SO-8封装 可通过"OR'd"接线方式将多个器件连接到单个监控电路输入。
  • 栅极驱动禁用输入。 可利用单个禁用晶体管来控制多个器件。
  • 符合 AEC Q101 标准
  • Qualified to AEC Q101

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MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FDSS2407

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Obsolete

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CAD Model

Pb

A

H

P

SOIC-8

751EB

1

260

REEL

2500

N

N-Channel

PowerTrench® T1

NA

Small Signal

Logic

0

Dual

0

62

Q1: 110.0, Q2: 110.0

±20

3

3.3

2.27

NA

-

13

3.3

NA

2

60

140

16

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Device: FDSS2407

Equivalent to wafer fab process: U2

产品技术

产品技术

等效器件小时

平均故障间隔时间/平均无故障时间（按小时计算）

FITS

U2

0

3282858009

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Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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