方案
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Small Signal MOSFETs | FDT457N
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这些 N 沟道增强型电场效应晶体管是使用高单元密度的 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻，可提供出色的开关性能。这些产品非常适合低电压、低电流应用，如笔记本电脑电源管理、电池供电电路，以及直流电机控制。
- This product is general usage and suitable for many different applications.
- 5 A，30 V。 RDS(ON) = 0.06 Ω @ VGS = 10 V
RDS(ON) = 0.090 Ω @ VGS = 4.5 V - 高密度设计可实现极低的RDS(ON)
- 高功率和高电流处理能力，采用广泛使用的表面贴装封装
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