方案
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Small Signal MOSFETs | FDT86113LZ
概览
此 N 沟道逻辑电平 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench® 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持出色的开关性能。增加了 G-S 齐纳以提高 ESD 电压水平。
- 消费型设备
- DC-DC Switch
- VGS = 10 V且ID = 3.3A时，最大rDS(on) = 100 mΩ
- 在VGS = 4.5 V且ID = 2.7 A时，最大值rDS(on) = 145 mΩ
- 高性能沟道技术可实现极低的RDS(on)
- 在广泛使用的表面贴装封装中可实现高功率和高电流处理能力
- HBM静电放电保护等级为>3 KV，典型值（注4）
- 100%经过UIL测试
- 符合RoHS标准
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FDT86113LZ
Active
Pb
A
H
P
SOT-223-4 / TO-261-4
1
260
REEL
4000
Y
N-Channel
PowerTrench® T1
SC-4
Small Signal
Logic
0
Single
0
100
100
±20
2.5
3.3
2.2
-
145
-
2.3
234
0.85
21
46
3.1
$0.3174
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