Small Signal MOSFETs | HUF75344G3

55 V、75 A、8 mΩ、N 沟道 UltraFET 功率 MOSFET

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这些 N 沟道功率 MOSFET 采用创新的 UltraFET 工艺制造。 这种先进工艺技术实现了单位硅面积内最低的通态电阻，可以带来出色的性能。 此器件能够在雪崩模式下承受高能量并且二极管具有极低的反向恢复时间和存储电荷。 此器件设计用于能效非常重要的应用，例如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低电压总线开关以及便携式设备和电池供电产品的功率管理。 以前的开发类型为TA75344。

  • 其他音频与视频

  • 75A、55V
  • 仿真模型
  • 温度补偿式PSPICE®和SABER™模型
  • 热阻抗PSPICE和SABER模型
  • 峰值电流与脉宽曲线
  • UIS额定值曲线
  • 相关文献
  • TB334，“PC板焊接表面贴装元件的指南”

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Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

HUF75344G3

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CAD Model

Pb

A

H

P

TO-247-3

340CK

NA

0

TUBE

450

Y

N-Channel

PowerTrench® T1

TO-247

Small Signal

Standard

0

Single

0

55

8

±20

4

75

285

-

-

-

90

3200

39

210

1170

310

$1.8758

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Die Related Summary Data

Device: HUF75344G3

Equivalent to wafer fab process: U2

产品技术

产品技术

等效器件小时

平均故障间隔时间/平均无故障时间（按小时计算）

FITS

U2

0

3282858009

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Re-calculate Data

Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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