双 P 沟道,小信号 MOSFET,带电平移位,-8V,-3.3A,55mΩ

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NTGD1100L 在一个封装中集成了 P 沟道和 N 沟道 MOSFET。 该器件尤其适用于需要低控制信号、低电池电压和高负载电流的便携式电子设备。 该 P 沟道器件专用于使用安森美半导体先进沟槽技术的负载开关。 该 N 沟道与外部电阻 (R1) 一起用作电平移位,驱动 P 沟道。 该 N 沟道 MOSFET 具有内部 ESD 保护,可由低至 1.5 V 的逻辑信号驱动。 NTGD1100L 基于 1.8 至 8.0 V 的电源线运行,对 VIN 和 VON/OFF 应用 8.0 V 时可驱动最高 3.3 A 的负载。

  • Portable Electronic Equipment

  • Extremely Low RDS(on) Load Switch MOSFET
  • Level Shift MOSFET is ESD Protected
  • Low Profile, Small Footprint Package
  • VIN Range 1.8 to 8.0 V
  • ON/OFF Range 1.5 to 8.0 V
  • ESD Rating of 2000 V
  • RoHS Compliant

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产品

状态

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

NTGD1100LT1G

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CAD Model

Pb

A

H

P

SC-74

1

260

REEL

3000

N

P-Channel

PowerTrench® T1

SC-6

Small Signal

Logic

0

NA

0

-8

-

8

1.2

3.3

0.83

55

40

3.7

-

NA

-

-

-

-

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