Intelligent Power Modules (IPMs) | FSB50660SFT
概览
FSB50660SF 和 FSB50660SFT 是基于超结 MOSFET (SuperFET) 工艺的运动控制 SuperFET 系列的功率开关，用作紧凑型逆变器方案，用于冰箱、风扇和泵等小功率电机驱动应用。FSB50660SF 和 FSB50660SFT 在一个完全绝缘的紧凑型封装内包含了六个 SuperFET MOSFET、三个带温度感应的半桥门极驱动器 HVIC，以及三个自举二极管，可实现最佳热性能。尤其是采用的 SuperFET MOSFET 具有体二极管的 Trr 特性。FSB50660SF 和 FSB50660SFT 优化了开关速度，降低了寄生电感，因此具有低电磁干扰 (EMI) 特性。因为 FSB50660SF 和 FSB50660SFT 采用 MOSFET 作为功率开关，所以与基于 IGBT 的电源模块相比，坚固性高很多，安全运行区域 (SOA) 也更大。FSB50660SF 和 FSB50660SFT 方案适用于组装空间有限的紧凑可靠的逆变器设计。
- 通过UL第 E209204号认证
- 600 V RDS(on)= 700 mΩ（最大值）SuperFET MOSFET 三相逆变器，包括 HVIC
- 低端 MOSFET 的三个独立开源引脚用于三支路电流感测
- 栅极驱动和欠压保护的HVIC
- 高电平有效接口，可用于 3.3 V/5 V 逻辑
- 针对低电磁干扰进行优化
- 1500 Vrms/1 min 的额定隔离电压。
- 内置于HVIC的温度感测
- 封装中的嵌入式自举二极管
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