feedback
评价本网页


需要帮助?


NTTFS5116PL: Power MOSFET -60V -20A 52 mOhm Single P-Channel u8FL Logic Level

Overview
Specifications
Datasheet: Power MOSFET, -60 V, -20 A, 52 mΩ
Rev. 1 (107.0kB)
»查看材料成分
»产品更改通知 (1)
Product Overview
产品说明
Power MOSFET 60V 8.2A 52mOhm Single P-Channel u-8 FL
特性   优势
     
  • Low RDS(on)
 
  • Improvement in conduction losses
  • Fast Switching
 
  • Improvement in switching losses
  • These Devices are Pb-Free and are Halide-free
 
  • RoHS compliant
应用
  • Load Switches
  • DC Motor Control
  • DCDC Conversion
技术文档及设计资源
数据表 (1) 封装图纸 (1)
供货情况和样品
产品
状况
Compliance
具体说明
封装
MSL*
容器
预算价格 (1千个数量的单价)
类型
外形
类型
数量
NTTFS5116PLTAG Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET -60V -20A 52 mOhm Single P-Channel u8FL Logic Level u8FL / WDFN-8 511AB 1 Tape and Reel 1500 $0.288
NTTFS5116PLTWG Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET -60V -20A 52 mOhm Single P-Channel u8FL Logic Level u8FL / WDFN-8 511AB 1 Tape and Reel 5000 $0.288
表面贴装器件的潮湿敏感度等级(MSL)(260°C回流温度时测量无铅,235°C回流温度时测量含铅)
市场订货至交货的时间(周) : Contact Factory
Digikey   (2015-07-09) : >10K
Mouser   (2015-07-09) : >1K
市场订货至交货的时间(周) : Contact Factory
Datasheet: Power MOSFET, -60 V, -20 A, 52 mΩ
Rev. 1 (107.0kB)
»查看材料成分
»产品更改通知 (1)
Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET -60V -20A 52 mOhm Single P-Channel u8FL Logic Level   P-Channel   Single   60   20   3   20   40     72   52   14   25   7   19   1258   127   84   u8FL / WDFN-8 
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET -60V -20A 52 mOhm Single P-Channel u8FL Logic Level   P-Channel   Single   60   20   3   20   40     72   52   14   25   7   19   1258   127   84   u8FL / WDFN-8 
之前浏览的产品
清除列表

新产品
 

NTP8G206N  600 V, 150 mΩ单N沟道氮化镓(GaN)共源共栅(Cascode)功率晶体管

  • 快速开关
  • 极低反向恢复电荷(Qrr)
  • 高能效

NDBA180N10B  NDPL180N10B  N沟道功率 MOSFET, 100 V, 180 A

  • 低至2.8 mΩ 的超低导通电阻
  • 低门极电荷(95 nC)和高开关速度
  • 提供D2PAK 和 TO-220封装