IPMs, Plus Tools and Simulation Support and Ease Adoption from ON Semiconductor on Display at PCIM Europe

六月 04, 2018

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在昨天的博客《安森美半导体在PCIM展示宽禁带技术的最新创新》中，我们谈到了围绕安森美半导体将于本周在欧洲PCIM展示的WBG的所有令人兴奋的发展。除了WBG，该公司还将在9号厅342号展台展示其最新的电源模块，结合高能效与强固的物理和电气设计，用于要求严苛的工业应用。

展出的电动工具演示将向观众演示安森美半导体的电源模块如何帮助实现紧凑、高能效的设计，以支持较长的电池使用寿命。功率模块是电源转换和电机控制应用的重要构建模块，功率等级为100 W至100 kW。太阳能和不间断电源(UPS)系统使用电源模块将太阳能电池板和电池的电压提高到合适的直流电压。该电压驱动输出逆变级，产生所需的交流电压。三电平逆变器拓扑-例如I型中性点箝位逆变器(NPC)、T型中性点箝位逆变器(TNPC)和T型分裂中性点箝位逆变器-被用来减小系统的尺寸和成本，因为它们支持使用更小、更便宜的输出电感和电容器。

高电流IGBT门极驱动器是工业和汽车应用如太阳能逆变器、电机驱动器、不间断电源（UPS）、电动汽车（xEV）充电器、PTC加热器和动力传动系统逆变器中的关键器件。这些器件提供强固的性能、更高的可靠性，和无需许多外部器件的高性价比方案。安森美半导体还将展出新的NCD570x系列门极驱动器，具有高驱动电流以提供宝贵的、更高的系统能效，和充分集成多种保护功能的能力以增强安全性。

安森美半导体的汽车产品阵容不断扩展，以支持在整个低、中和高功率范围的多样化应用。从用于车载媒体应用到空调的器件，到用于内燃机(ICE)、混合动力和纯电动动力系统的高功率方案，安森美半导体正在不断开发新产品，以帮助支持和加速汽车技术几十年来最迅速的进展。例如，新的符合AEC车规的ASPM 27三相智能功率模块(IPM)，集成了驱动器、IGBT和二极管，提供一种更小、更可靠的方案，增强了热性能，用于诸如汽车空调(HVAC)系统、电动油泵控制器和高压增压器的电子压缩机等应用。

此外，安森美半导体专家将出席参展商(Exhibitor)论坛和电子移动(E-Mobility)论坛，并在整个活动中作演讲和演示,请参阅下面的日程表。欲了解关于安森美半导体在PCIM的更多信息，请访问www.onsemi.cn/pcim

论坛：

参展商论坛（Exhibitor Forum）, 7号厅507号展台

星期二，6月5日13:40 – 14:00

演讲者：Raghu Nathadi

主题：高输出电流门极驱动器用于高压和高功率应用如不间断电源(UPS)、太阳能逆变器、电机驱动器、牵引逆变器、车载充电器(OBC)和PTC加热器。

电子移动论坛（E-Mobility Forum），6号厅320号展台

星期二，6月5日和星期三，6月6日11:00 – 11:30am

演讲者：Andrea Colognese

主题：汽车功能电子化：半导体电源技术将迎来挑战和新的应用。电动汽车是交通的未来。为了维持这一趋势，安森美半导体不断投资于新技术，并推出先进的方案用于下一代电子汽车内的新应用和功能。

海报演示：

星期二，6月5日 -纽伦堡会议中心中区地下室大堂 - 15:15 – 17:30

  • 用于电动汽车/混动汽车牵引逆变器的基于仿真的SiC MOSFET电源模块的设计与试验验证Roy Davis, Yifan Xiao, John Gabrowski, Younhee Lee
  • 650V 增强模式(E-Mode)氮化镓高电子迁移率晶体管(HEMT)在1 MHz开关用于旅行适配器应用Ann Starks
  • 分立的1200V SiC MOSFET – 表面贴装(SMD)封装的优势和高功率并行应用中多器件及电路参数失配的影响Rajagopalan Jagannathan, Hans-Peter Hoenes, Tushar Duggal, Marco Atzeri
  • 抗雪崩低导通电阻1200 V SiC MOSFET具有卓越的长期稳定性Kwangwon Lee, Martin Domeij, Jimmy Franchi, Benedetto Buono, Fredrik Allerstam, Thomas Neyer
  • 碳化硅(SiC)结势垒肖特基(JBS)二极管和SiC MOSFET体二极管在极端短路条件下的强固表现Mehrdad Baghaie, Thomas Neyer, Andrei Konstantinov, Martin Domeij
  • 新型600 V家用电器电机驱动智能电源模块的开发Samuell Shin, Buemseung Jin, Kinam Song, Sewoong Oh, Thomas Yin 星期三， 6月6日 - 纽伦堡会议中心中区地下室大堂 -15:15 – 17:30
  • 对1.2Kv SiC MOSFET高湿高温反偏实验(H3TRB)测试Martin Domeij, Fredrik Allerstam, Benedetto Buono, Jimmy Franchi, Thomas Neyer
  • 用于智能功率模块的高压集成电路(HVIC)技术的先进功能 Jinkyu Choi, Wonhi Oh, Kinam Song, Samuell Shin
  • 智能功率模块(IPM)的引线框架架构的影响和电气特性比较Samuell Shin, Bumseung Jin, Kangyoon Lee, Jinkyu Choi, Thomas Yin
  • 宽禁带功率器件的虚拟原型应用程序采用Keysight Advances Design System中的物理可扩展的SPICE模型


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