N 沟道,PowerTrench® MOSFET,35V,59A,10mΩ

已停产

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此 N 沟道 MOSFET 是使用 PowerTrench® 专属工艺生产的,可提供低 RDS(ON) 和优化的 BVDSS 能力,为应用带来卓越性能优势。

  • This product is general usage and suitable for many different applications.
  • 59 A, 35V
  • 最大RDS(ON) = 10 mΩ @ VGS = 10 V
  • 最大RDS(ON) = 13 mΩ @ VGS = 4.5 V
  • 快速开关
  • 符合RoHS标准

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产品

状态

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

参考价格

已停产

CAD Model

Pb

A

H

P

DPAK-3 / TO-252-3

1

260

REEL

2500

No

N-Channel

PowerTrench® T1

TO-252-3

Small Signal

Logic

0

Single

0

35

10

20

3

59

55

-

13

-

26

1400

-

-

-

-

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