Small Signal MOSFETs | FDMD85100

双 N 沟道，PowerTrench® MOSFET，100V，48A，9.9mΩ

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此器件包括了两个 100V N 沟道 MOSFET，采用双 Power (5 mm X 6 mm) 封装。针对半桥/全桥内部联接的 HS 源和 LS 漏极，低源电感封装，低 rDS(on)/Qg FOM 硅。

  • This product is general usage and suitable for many different applications.
  • Q1： N-沟道
  • 最大值 rDS(on) = 16.4 mΩ（VGS = 6 V、ID = 8 A
    ）Q2： N-沟道
  • 是实现桥式拓扑初级端灵活布局的理想选择
  • 终端无引线且符合 RoHS 标准
  • 100% 经过 UIL 测试
  • 开尔文高侧 MOSFET 驱动引脚排列能力

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Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

参考价格

FDMD85100

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CAD Model

Pb

A

H

P

PQFN-8

483AT

1

260

REEL

3000

No

N-Channel

PowerTrench® T1

PQFN-8

Small Signal

Standard

0

Dual

0

100

Q1=Q2=9.9

±20

4

Q1=Q2: 48.0

50

-

-

9.2

13.5

Q1=1590, Q2:1485

Q1: 4.3 Q2: 4.4

Q1: 53 Q2: 51

Q1: 334 Q2: 337

Q1: 13 Q2: 13

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Device: FDMD85100

Equivalent to wafer fab process: T7

产品技术

产品技术

等效器件小时

平均故障间隔时间/平均无故障时间（按小时计算）

FITS

T7

11

6716497626

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Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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