公司介绍
FDZ375P 基于先进的 1.5 V PowerTrench 工艺和“低间距”薄款 WLCSP 封装工艺而设计,可最大程度缩小 PCB 空间和降低 rDS(on)。这种先进的 WLCSP MOSFET 体现了封装技术的突破,使得该器件能够将优异的传热特性、超小型封装、低门极电荷和低 rDS(on) 等诸多性能结合在一起。
搜寻
Close Search
产品:
1
分享
排序方式
产品系列:
┗
可订购器件:
1
产品
状态
CAD Models
Compliance
Package Type
Case Outline
MSL Type
MSL Temp (°C)
Container Type
Container Qty.
ON Target
Channel Polarity
Silicon Family
Package Name
Type
Gate Level
Wide SOA Mosfets
Configuration
OPN in older Technology
V(BR)DSS Min (V)
RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)
VGS Max (V)
Vgs(th) Max (V)
Id Max (A)
PD Max (W)
RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
Ciss Typ (pF)
Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
Qrr Typ (nC)
Coss Typ (pF)
Crss Typ (pF)
参考价格
Show More
1-25 of 25
Products per page
Jump to :
支持服务
联系安森美销售团队获得支持,查询或者对比产品细节。
联系销售
分享
导出
Rows
Printer Friendly Version
PDF Format
Excel Format
CSV Format
To proceed order you need to accept Terms