Small Signal MOSFETs | FDZ375P

P 沟道，1.5V 指定，PowerTrench® 薄款 WL-CSP MOSFET，-20V，-3.7A，78mΩ

Obsolete

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FDZ375P 基于先进的 1.5 V PowerTrench 工艺和“低间距”薄款 WLCSP 封装工艺而设计，可最大程度缩小 PCB 空间和降低 rDS(on)。这种先进的 WLCSP MOSFET 体现了封装技术的突破，使得该器件能够将优异的传热特性、超小型封装、低门极电荷和低 rDS(on) 等诸多性能结合在一起。

  • This product is general usage and suitable for many different applications.
  • Battery Management
  • Load Switch
  • Battery Protection

  • VGS = -4.5 V，ID = -2.0 A时，rDS(on)= 78 mΩ（最大值）
  • VGS = -2.5 V，ID = -1.5 A时，最大rDS(on) = 92 mΩ
  • VGS = -1.8 V，ID = -1.0 A时，最大rDS(on) = 112 mΩ
  • VGS = -1.5 V，ID = -1.0 A时，rDS(on) = 150 mΩ（最大值）
  • 只占用1.0 mm2的PCB面积。 比2X2 BGA面积小30%
  • 只占用1.0 mm2的PCB面积。 比2X2 BGA面积小30%
  • 符合 RoHS 标准

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Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FDZ375P

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