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SRAM Memory | N25S818HA
概览
安森美半导体串行 SRAM 系列包括多款集成存储器件，其中就包括这款 256 Kb 串行访问的静态随机访问存储器，内部组织为 8 K 个词，每个词 32 位。此类器件采用安森美半导体先进的 CMOS 工艺制造，速度快、功耗低。此类器件通过一个单芯片选择 (CS) 输入运行，并使用一个简单的串行外围接口 (SPI) 串行总线。单个数据输入和数据输出行与时钟一起用于访问器件中的数据。N25S818HA 器件包括暂停引脚，可实现与要暂停器件的通信。暂停后，输入转换将忽略。此类器件可在 −40°C 至 +85°C 的宽广温度范围内运行，采用若干标准封装。
- 1.7 to 1.95 V power supply range
- Very low standby current - typical Isb as low as 200 nA
- Very low operating current - as low as 3 mA
- Simple memory control: single chip select (CS), serial input (SI) and serial output (SO)
- Flexible operating modes: word read and write, page mode (32 word page), and burst mode (full array)
- 32 K x 8 bit organization
- Self timed write cycles
- Built-in write protection (CS high)
- HOLD pin for pausing communication
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