安森美推出全球首款TOLL封装650 V碳化硅MOSFET

PHOENIX, Arizona – 10. Mai 2022 – onsemi

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Neuer Baustein mit 60% kleinerem Gehäuse, mehr Leistungsfähigkeit und weniger Verlusten

PHOENIX, Arizona – 10. Mai 2022 – onsemi (Nasdaq: ON), ein führender Anbieter intelligenter Leistungselektronik und Sensorik, stellt auf der PCIM Europe den branchenweit ersten Siliziumkarbid-/SiC-MOSFET im TO-Leadless-/TOLL-Gehäuse vor. Der Transistor adressiert den wachsenden Bedarf an hochleistungsfähigen Schaltern, die für Designs mit hoher Leistungsdichte vorgesehen sind. Bis vor kurzem wurden SiC-Bauelemente in 7-poligen D2PAK-Gehäusen ausgeliefert, die deutlich mehr Platz benötigten.

Mit einer Grundfläche von nur 9,9 mm x 11,7 mm bietet das TOLL-Gehäuse gegenüber einem D2PAK an die 30% weniger Platzbedarf auf der Leiterplatte – und bei einer Bauhöhe von nur 2,3 mm nimmt es 60% weniger Volumen ein als ein D2PAK-Gehäuse.

Zusätzlich zu seiner kleineren Größe bietet das TOLL-Gehäuse ein besseres Wärmeverhalten und eine geringere Gehäuse-Induktivität (2 nH) als ein 7-Pin-D2PAK. Seine Kelvin-Source-Konfiguration sorgt für geringeres Gate-Rauschen und niedrigere Schaltverluste – einschließlich 60% weniger Einschaltverluste (EON) im Vergleich zu einem Bauelement ohne Kelvin-Konfiguration. Damit wird auch bei anspruchsvollen Leistungselektronikdesigns eine deutlich höhere Effizienz und Leistungsdichte sichergestellt, genauso wie eine verbesserte EMI und einfacheres PCB-Design.

„Die Fähigkeit, hochzuverlässige Stromversorgung auf kleinem Raum bereitzustellen, wird in vielen Bereichen zu einem Wettbewerbsvorteil, einschließlich industrieller Hochleistungsstromversorgungen und Serveranwendungen“, so Asif Jakwani, Senior Vice President und General Manager der Advanced Power Division bei onsemi. „Das Einbinden unserer SiC-MOSFETs in TOLL-Gehäuse reduziert nicht nur den Platzbedarf, sondern verbessert auch die Leistungsfähigkeit in vielen Bereichen wie EMI und reduziert die Verluste. Das Ergebnis ist ein äußerst zuverlässiger und robuster Hochleistungsschalter, der Leistungselektronik-Entwicklern hilft, die strengen Anforderungen beim Power-Design zu erfüllen.“

SiC-Bauelemente bieten gegenüber ihren Silizium-Vorgängern erhebliche Vorteile, darunter einen höheren Wirkungsgrad bei hohen Frequenzen, geringere EMI, Betrieb bei höheren Temperaturen und mehr Zuverlässigkeit. onsemi ist der einzige Anbieter von SiC-Bauelementen mit vertikaler Integrationsfähigkeit, einschließlich SiC-Boule-Wachstum, Substrat, Epitaxie, Chip-Fertigung, integrierten Modulen und diskreten Gehäuselösungen.

Der erste SiC-MOSFET im TOLL-Gehäuse ist der NTBL045N065SC1, der für anspruchsvolle Anwendungen wie Schaltnetzteile (SMPS), Server- und Telekommunikations-Netzteile, Solarwechselrichter, unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV) und Energiespeicher vorgesehen ist. Der Baustein eignet sich für Designs, die hohe Effizienzstandards wie ErP und 80 PLUS Titanium erfüllen müssen.

Der NTBL045N065SC1 hat eine UDSS-Spannung von 650 V mit einem typischen RDS(on) von nur 33 mΩ und einem maximalen Drain-Strom (ID) von 73 A. Basierend auf der Wide-Bandgap-/WBG-SiC-Technologie bietet der Baustein eine maximale Betriebstemperatur von 175 °C und eine extrem niedrige Gate-Ladung (QG(tot) = 105 nC), die die Schaltverluste erheblich reduziert. Darüber hinaus ist das TOLL-Gehäuse als MSL 1 (Moisture Sensitivity Level; Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe 1) eingestuft, was sicherstellt, dass die Ausfallraten in der Serienfertigung reduziert werden.

Darüber hinaus bietet onsemi Automotive-konforme Bausteine in 3- und 4-poligen TO-247-Gehäusen sowie 7-poligen D2PAK-Gehäusen an.

Über onsemi:
onsemi (Nasdaq: ON) treibt bahnbrechende Neuerungen voran, um eine bessere Zukunft zu schaffen. Das Unternehmen konzentriert sich auf die Endmärkte Automotive und Industrie und beschleunigt den Wandel bei Megatrends wie Elektrifizierung und Sicherheit von Fahrzeugen, nachhaltige Energienetze, industrielle Automatisierung sowie 5G- und Cloud-Infrastruktur. Mit einem hochdifferenzierten und innovativen Angebot entwickelt onsemi intelligente Leistungselektronik und Sensorlösungen, um selbst komplexeste Herausforderungen zu lösen und den Weg zu einer sichereren, saubereren und intelligenteren Welt zu ebnen.

关于安森美(onsemi)

安森美(纳斯达克股票代码:ON)一直在推动颠覆性创新的路上孜孜以求,努力打造更美好的未来。公司专注于汽车和工业终端市场,目前正加速变革,拥抱大趋势的转变,包括汽车电汽化和汽车安全、可持续能源网、工业自动化以及5G和云基础设施等。安森美的智能电源和感知技术,以高度差异化的创新产品组合,助力解决全球最复杂的挑战和难题,引领创建一个更加安全、 清洁、智能的世界。安森美是《财富》美国500强(Fortune 500®)和标普500指数(S&P 500®)企业。访问www.onsemi.cn了解关于安森美的更多内容。

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