安森美与英诺赛科达成战略合作协议，共同加速推进全球氮化镓产业生态建设

この提携により、大量生産かつコストが最適化された世界規模のGaN製造能力が加わり、エネルギー効率の高いパワーデバイスの市場投入が加速されます。

概要:
オンセミは、イノサイエンスの実績ある200mm GaN-on-Siプロセスを活用して、窒化ガリウム（GaN）パワーデバイスの生産拡大を検討するために、同社との間で覚書を締結したことを発表しました。この協業は、オンセミのシステムインテグレーション、ドライバ、パッケージングの専門知識と、イノサイエンスのGaNウェハおよび大量生産におけるリーダーシップを融合させ、費用対効果の高い省エネルギーソリューションをより迅速に市場へ提供し、GaNの普及を加速させることを目的としています。

ニュースハイライト:

• 本協業により、オンセミの低・中電圧GaNパワーポートフォリオが拡充され、世界規模でGaN製造を拡大することで、市場投入の迅速化と採用拡大を目指します。
• この法的拘束力のない覚書（MOU）は、ウェハ調達や拡張的な提携を含む戦略的パートナーシップを定め、オンセミのGaNパワーソリューションとイノサイエンスの先進的なウェハ製造を活用することで、2030年までに29億ドル規模と予測されるGaNパワーデバイスの獲得可能な最大市場規模（TAM）をターゲットとし、その結果、両社に数億ドル規模の潜在的な価値をもたらします。
• この取り決めは、具体的にはオンセミのパッケージング、ドライバ、システムインテグレーションの専門性と、イノサイエンスの実績あるウェハ製造能力を組み合わせることで、両社が顧客に大きな価値を提供するための取り組みを支援するものです。
• 両社の技術を融合することで、産業、自動車、通信インフラ、コンシューマー、AIデータセンター市場向けに、より小型で高効率なGaNソリューションを実現することが期待されます。

2025年12月2日、米国アリゾナ州スコッツデールおよび中国蘇州 – オンセミとイノサイエンスは、40～200Vから開始するGaNパワーデバイスの展開を加速し、顧客の採用を大幅に拡大する可能性を検討するための覚書（MOU）を締結したことを発表しました。このMOUで定められた提携は、オンセミの統合システムとパッケージングにおけるリーダーシップと、イノサイエンスの実績あるGaN技術および量産能力を融合し、産業、自動車、通信インフラ、コンシューマー、AIデータセンター市場向けに、費用対効果が高く高効率なGaN製品の提供を可能にするものです。

GaN半導体デバイスは、高速スイッチング、小型化、低エネルギー損失を実現し、より少ないスペースでより高い出力を提供します。これまで、低・中電圧分野では製品ラインアップと製造能力の制約により、GaNの普及が遅れていました。この提携を通じて、両社はこれらの障壁を克服し、以下の主流市場向けに最適化されたGaNソリューションを世界規模で大量かつ迅速に展開することを目指します。

• 産業：ロボット用モータードライブ、ソーラーマイクロインバータ、オプティマイザー
• 自動車：DC-DCコンバータ、同期整流
• 通信インフラ：DC-DCコンバータ、ポイントオブロードコンバータ
• コンシューマー・マスマーケット：電源、アダプター、DC-DCコンバータ、モータードライブ、オーディオ、ライトeモビリティ、電動工具、ロボット
• AIデータセンター：中間バスコンバータ、DC-DCコンバータ、バッテリーバックアップユニット

オンセミのお客様にとって、イノサイエンスとの提携により以下のことが期待されます。

• より迅速な市場投入：オンセミのシステム専門知識とイノサイエンスの実績あるGaN技術および製造能力を活用し、迅速なプロトタイピング、デザインインの加速、主流市場への迅速な参入を達成
• スケーラブルな製造：オンセミのグローバル統合およびパッケージングの経験とイノサイエンスの確立されたGaN生産能力を活用し、大量生産の立ち上げに対応できる真のマスマーケット拡張性を実現
• システムコストの低減：最適化されたパッケージ、部品点数の削減、簡素化された熱管理による、コンパクトな設計と低い総システムコストを実現

オンセミでコーポレート戦略担当バイス・プレジデントを務めるアントワーヌ・ジャラベール（Antoine Jalabert）は次のように述べています。
「あらゆる分野で電力需要が高まる中、GaNは他の材料と比較して、より高い効率、小型サイズ、低いエネルギー損失を提供します。これまで、低電圧および中電圧の分野では、コストと供給の制約がGaNの広範な普及を妨げていました。イノサイエンスとの提携により、当社は業界最大のGaN生産拠点にアクセスできるようになり、世界中の顧客向けに当社のGaN製品を迅速に拡大し、主流の電力アプリケーションのより広範な採用を促進できるものと期待しています」

イノサイエンスで製品・エンジニアリング担当シニアバイスプレジデントを務めるYi Sun氏は、次のように述べています。
「GaN技術は、電子機器の改善、より小型で効率的な電力システムの構築、節電、CO2排出量の削減に不可欠です。イノサイエンスは、GaNパワーの世界的な普及を拡大・加速し、オンセミの幅広いポートフォリオを活用したシステム統合プラットフォームを構築するために、オンセミとの戦略的提携の機会を探ることに期待しています」

包括的なインテリジェントパワーポートフォリオ
GaNは2030年までに、世界のパワー半導体市場の約29億ドル（シェア11%）を獲得すると予測されており、2024～2030年の年平均成長率は42%¹と見込まれています。このイノサイエンスとの提携は、現在シリコン、シリコンカーバイド（SiC）、GaN技術を網羅するオンセミの包括的なインテリジェントパワーポートフォリオをさらに強化するものです。これらの技術を組み合わせることで、オンセミはAIデータセンター、自動車、産業、コンシューマーの各分野でアプリケーションに最適な電力システムを提供することが可能になります。この包括的な低・中電圧ポートフォリオは、世界的な電化とAIによるエネルギー需要が急増し続ける中で、性能とエネルギー効率の最大化で顧客を支援する、全面的に統合された電力システムの主要プロバイダーとしてのオンセミの地位を強固なものにします。

スケジュールと提供時期
オンセミは、2026年前半にサンプル提供を開始する予定です。

参考資料

¹出典： Yole Power GaN 2025

Caution Regarding Forward-Looking Statements:

This press release includes “forward-looking statements,” as that term is defined in Section 27A of the U.S. Securities Act of 1933, as amended, and Section 21E of the U.S. Securities Exchange Act of 1934, as amended. All statements, other than statements of historical facts, included or incorporated in this press release could be deemed forward-looking statements, particularly statements about the state and potential impacts of any collaboration between onsemi and Innoscience. Forward-looking statements are often characterized by the use of words such as “believes,” “estimates,” “expects,” “projects,” “may,” “will,” “intends,” “plans,” “anticipates,” “targets,” “should,” “would” or similar expressions or by discussions of strategy, plans, expectations, projections or intentions. All forward-looking statements in this document are made based on onsemi’s current expectations, forecasts, estimates and assumptions and involve risks, uncertainties and other factors that could cause results or events to differ materially from those expressed in the forward-looking statements. Certain factors that could affect onsemi’s future results or events are described under Part I, Item 1A “Risk Factors” in the 2024 Annual Report on Form 10-K that onsemi filed with the U.S. Securities Exchange Commission (“SEC”) on February 10, 2025 (the “2024 Form 10-K”) and from time to time onsemi’s other SEC reports. Readers are cautioned not to place undue reliance on forward-looking statements. onsemi assumes no obligation to update such information, which speaks only as of the date made, except as may be required by law. Investing in onsemi’s securities involves a high degree of risk and uncertainty, and you should carefully consider the trends, risks and uncertainties described in this document, the 2024 Form 10-K and other reports filed with or furnished to the SEC by onsemi before making any investment decision with respect to onsemi’s securities. If any of these trends, risks or uncertainties actually occurs or continues, onsemi’s business, financial condition or operating results could be materially adversely affected, the trading prices of onsemi’s securities could decline, and you could lose all or part of your investment. All forward-looking statements attributable to onsemi or persons acting on onsemi’s behalf are expressly qualified in their entirety by this cautionary statement.

イノサイエンスについて

イノサイエンス（HKEX:02577.HK）は、8インチGaN-on-Siプロセスの革新とパワーデバイス製造におけるグローバルリーダーです。イノサイエンスのデバイス設計とデバイス性能はGaNの世界標準を確立しており、同社のGaN製品は15Vから1200VまでをカバーするGaNプロセスノードにより、複数の低・中・高電圧アプリケーションで過半数の市場シェアを獲得しています。イノサイエンスの製品は、コンシューマー、自動車、データセンター、再生可能エネルギーの各分野において、高い信頼性、性能、機能性で広く知られています。詳細については、http://www.innoscience.com/.をご覧ください。