安森美半导体在APEC 2021发布 新的用于电动车充电的完整碳化硅MOSFET模块方案

APEC 2021 - PHOENIX, Ariz. – 7 Giugno, 2021 –

Share

L'azienda propone un'ampia gamma di dispositivi WBG adatti per soluzioni di ricarica ad alte prestazioni

APEC 2021 - PHOENIX, Ariz. – 7 Giugno, 2021 – ON Semiconductor® (Nasdaq: ON), azienda leader nello sviluppo di soluzioni innovative ad alta efficienza energetica, ha annunciato una coppia di moduli MOSFET SiC (Silicon Carbide) da 1200 V in configurazione 2-PACK ampliando ulteriormente la propria offerta di prodotti destinati al mercato dei veicoli elettrici (EV).

p>Nel momento in cui aumentano le vendite di veicoli elettrici, è necessario mettere a punto le infrastrutture necessarie per soddisfare le aspettative dei guidatori, realizzando una rete di stazioni di ricarica veloce che consenta loro di completare i viaggi rapidamente e tranquillamente senza “ansia da rifornimento”. In questo settore i requisiti evolvono rapidamente e livelli di potenza superiori a 350 kW con un'efficienza del 95% stanno diventando richieste standard. Poichè queste stazioni di ricarica rapida devono essere installate in località e ambienti molto diversificati tra di loro, i progettisti devono garantire compattezza, robustezza e un livello di affidabilità molto elevato.

I nuovi moduli MOSFET SiC M1 in configurazione 2-PACK da 1200 V, basati sulla tecnologia planare e adatti per tensioni di pilotaggio comprese tra 18 e 20 V, sono semplici da pilotare con tensioni di gate negative. Le maggiori dimensioni del die permettono di ridurre la resistenza termica rispetto ai MOSFET di tipo trench, con conseguente diminuzione della temperatura del die a parità di temperatura di funzionamento.

Disponibile in configurazione 2-PACK (a semiponte), NXH010P120MNF è un dispositivo con RDS(on) di 10 mohm alloggiato in un package F1 mentre NXH006P120MNF2 è un dispositivo con RDS(on) di 6 mohm ospitato in un package F2. Entrambi i package dispongono di pin di tipo a pressione (press fit) e quindi risultano particolarmente adatti per impieghi in campo industriale, mentre il termistore a coefficiente di temperatura negativo (NTC) integrato semplifica il monitoraggio della temperatura.

Componenti dell'ecosistema sviluppato da ON Semiconductor per la ricarica dei veicoli elettrici, i nuovi moduli MOSFET SiC sono stati progettati per operare con i circuiti per il pilotaggio del gate come i dispositivi della serie NCD5700x. Il circuito di pilotaggio del gate per IGBT/MOSFET NCD57252 a doppio canale isolato garantisce un isolamento galvanico di 5 kV è può essere configurato come driver high side duale, low side duale o in configurazione a semiponte.

NCD57252 è alloggiato in un package SOIC-16 WB (Wide Body) di ridotte dimensioni e accetta ingressi a livello logico di 3,3, 5 e 15 V. Si tratta di un dispositivo che supporta elevate correnti (in grado di erogare 4 A e assorbire 6 A alla tensione del plateau di Miller), adatto per il funzionamento ad alta velocità in quanto i ritardi di propagazione tipici sono molto ridotti, dell'ordine di 60 ns.

A completamento dei nuovi moduli e del circuito di pilotaggio del gate, ON Semiconductor propone MOSFET SiC contraddistinti da migliori prestazioni di commutazione e caratteristiche termiche avanzate rispetto a dispositivi simili realizzati in silicio. Ciò garantisce un aumento in termini di efficienza e di densità di potenza, una diminuzione delle interferenze elettromagnetiche (EMI) e una riduzione del peso e del costo dei sistemi.

I MOSFET SiC da 650 V di recente introduzione, grazie a un innovativo progetto della cella attiva abbinato all'uso di una tecnologia a film sottile avanzata, possono vantare la migliore figura di merito (FoM) in termini di RDS(on) x area. Questa serie comprende dispositivi come NVBG015N065SC1, NTBG015N065SC1, NVH4L015N065SC1 e NTH4L015N065SC caratterizzati dal più basso valore di RDS(on) per MOSFET in package D2PAK7L / TO247.

I MOSFET SiC a canale-N da 1200 e 900 V si distinguono per le piccole dimensioni del chip che permettono di ridurre la capacità del dispositivo e la carica di gate (Qg – è di soli 220 nC), in modo da diminuire le perdite di commutazione durante il funzionamento alle elevate frequenze richieste dai caricatori per le le auto elettriche.

Nel corso di APEC 2021, ON Semiconductor presenterà una soluzione SiC per applicazioni industriali e proporrà seminari che illustreranno le soluzioni della società per la ricarica off-board dei veicoli elettrici. Per registrarsi come visitatori ad APEC 2021 è possibile accedere al sito: http://apec-conf.org/conference/registration/

Ulteriori risorse e documentazione:

Informazioni su ON Semiconductor ON Semiconductor (Nasdaq: ON) è da sempre all’avanguardia nelle innovazioni ad alta efficienza energetica nel campo dell’elettronica, che aiutano a rendere il mondo più verde, più sicuro, inclusivo e connesso. L'azienda è diventata il fornitore preferito dei nostri clienti per le soluzioni di alimentazione, analogiche, di sensori e per la connettività. I nostri prodotti di qualità superiore aiutano gli ingegneri a far fronte alle sfide di progettazione più uniche nelle applicazioni automotive, industriali, per il cloud power e per l’Internet delle Cose (IoT). ON Semiconductor gestisce una filiera reattiva e affidabile, con programmi per la qualità e solidi programmi ESG. Con sede a Phoenix, in Arizona, l'azienda dispone di una rete globale di infrastrutture di produzione, di uffici vendite e marketing e di centri di progettazione per i propri settori di riferimento.

关于安森美(onsemi)

安森美(纳斯达克股票代码:ON)一直在推动颠覆性创新的路上孜孜以求,努力打造更美好的未来。公司专注于汽车和工业终端市场,目前正加速变革,拥抱大趋势的转变,包括汽车电汽化和汽车安全、可持续能源网、工业自动化以及5G和云基础设施等。安森美的智能电源和感知技术,以高度差异化的创新产品组合,助力解决全球最复杂的挑战和难题,引领创建一个更加安全、 清洁、智能的世界。安森美是《财富》美国500强(Fortune 500®)和标普500指数(S&P 500®)企业。访问www.onsemi.cn了解关于安森美的更多内容。

###

安森美安森美图标是Semiconductor Components Industries, LLC的注册商标。所有本文中出现的其它品牌和产品名称分别为其相应持有人的注册商标或商标。虽然公司在本新闻稿提及其网站,但此稿并不包含其网站中有关的信息。

subscribe icon

接收新闻提醒!

如果您是新闻界人士,并有兴趣通过电子邮件接收安森美的新闻发布,请填写以下表格。

Please provide a name.
Please provide email.
Please provide media.

选择订阅语言:


*我同意我所提供的信息可按照安森美隐私政策*的条款被使用。