全新T2PAK封装为EliteSiC带来高效散热和强劲动力
采用全新T2PAK顶部散热封装的EliteSiC MOSFET，为电动汽车、光伏逆变器等应用带来更高的功率密度和精简的散热封装。
垂直氮化镓的技术突破
安森美发布功率半导体突破性创新技术——垂直氮化镓（vGaN）技术，带来更具优势的效率、功率密度和耐用性，满足AI和电气化应用的需求。
电路保护的领先技术：SiC JFET
探索SiC JFET如何支持更快、更安全、更智能的固态断路器。点击观看研讨会视频以及获取详细教程。
严正声明
关于不法分子冒用我司名义实施非法商业活动的严正声明
