IGBT,600V,30A 场截止沟槽

Obsolete

概览

这款 ADF IGBT 系列采用了场截止沟槽第 3 代 IGBT,提供极低的 Vce(sat)和更快的开关特性,具有出色的能效。这种技术针对各种 PFC(功率因数校正)拓扑结构进行了完全优化;单升压,多沟道交错等,具备超过 20KHz 的开关性能。TO3P 封装为更广泛的 SOA 提供超低热阻,保证系统的稳定性。

  • 最大结温: TJ = 175°C
  • 正温度系数,易于并联运行
  • 高电流能力
  • 低饱和电压: VCE(sat) = 1.8 V(典型值) @ IC = 30 A
  • ILM(1) 部件 100% 检测
  • 高输入阻抗
  • 快速开关
  • 紧密的参数分布
  • 符合 RoHS 标准

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Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Family

V(BR)CES Typ (V)

IC Max (A)

VCE(sat) Typ (V)

VF Typ (V)

Eoff Typ (mJ)

Eon Typ (mJ)

Trr Typ (ns)

Irr Typ (A)

Gate Charge Typ (nC)

Short Circuit Withstand (µs)

EAS Typ (mJ)

PD Max (W)

Co-Packaged Diode

Reference Price

FGA3060ADF

CAD Model

Pb

A

H

P

TO-3P-3L

NA

0

TUBE

450

N

-

600

30

1.8

1.6

0.165

0.96

26

-

37.4

-

-

176

Yes

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