IGBTs | FGA3060ADF

IGBT，600V，30A 场截止沟槽

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这款 ADF IGBT 系列采用了场截止沟槽第 3 代 IGBT，提供极低的 Vce(sat)和更快的开关特性，具有出色的能效。这种技术针对各种 PFC（功率因数校正）拓扑结构进行了完全优化；单升压，多沟道交错等，具备超过 20KHz 的开关性能。TO3P 封装为更广泛的 SOA 提供超低热阻，保证系统的稳定性。

  • 最大结温： TJ = 175°C
  • 正温度系数，易于并联运行
  • 高电流能力
  • 低饱和电压： VCE(sat) = 1.8 V（典型值） @ IC = 30 A
  • ILM(1) 部件 100% 检测
  • 高输入阻抗
  • 快速开关
  • 紧密的参数分布
  • 符合 RoHS 标准

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MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Family

V(BR)CES Typ (V)

IC Max (A)

VCE(sat) Typ (V)

VF Typ (V)

Eoff Typ (mJ)

Eon Typ (mJ)

Trr Typ (ns)

Irr Typ (A)

Gate Charge Typ (nC)

Short Circuit Withstand (µs)

EAS Typ (mJ)

PD Max (W)

Co-Packaged Diode

参考价格

FGA3060ADF

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已停产

CAD Model

Pb

A

H

P

TO-3P-3L

340BZ

NA

0

TUBE

450

No

-

600

30

1.8

1.6

0.165

0.96

26

-

37.4

-

-

176

Yes

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Device: FGA3060ADF

Equivalent to wafer fab process: 3B,IJ

产品技术

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等效器件小时

平均故障间隔时间/平均无故障时间（按小时计算）

FITS

3B,IJ

1

6249407224

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Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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