IGBTs | FGA50N100BNTD2

IGBT，1000V，NPT 沟槽

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该 1000V NPT IGBT 采用安森美半导体的专属沟槽设计和先进 NPT 技术，提供卓越导通和开关性能、高雪崩耐用性和轻松并联操作。此器件为 UPS 和焊接机等硬开关应用提供最佳性能。

  • 不间断电源
  • 其他工业
  • 高速开关
  • 低饱和电压：VCE(sat) = 2.5 V @ IC = 60A
  • 高输入阻抗
  • 符合 RoHS 标准

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V(BR)CES Typ (V)

IC Max (A)

VCE(sat) Typ (V)

VF Typ (V)

Eoff Typ (mJ)

Eon Typ (mJ)

Trr Typ (ns)

Irr Typ (A)

Gate Charge Typ (nC)

Short Circuit Withstand (µs)

EAS Typ (mJ)

PD Max (W)

Co-Packaged Diode

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FGA50N100BNTD2

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CAD Model

Pb

A

H

P

TO-3P-3L

340BZ

NA

0

TUBE

450

No

-

1000

35

2.5

2.9

-

-

60

-

257

-

-

156

Yes

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Device: FGA50N100BNTD2

Equivalent to wafer fab process: 3B,IK

产品技术

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等效器件小时

平均故障间隔时间/平均无故障时间（按小时计算）

FITS

3B,IK

0

1413516796

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Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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