IGBTs | FGA6560WDF

IGBT，650V，60A，场截止沟槽

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安森美半导体的新型场截止第 3 代 IGBT 系列采用新型场截止 IGBT 技术，为低导通和开关损耗至关重要的焊接机应用提供最佳性能。

  • 最大结温： TJ=175°C
  • 正温度系数，易于并联运行
  • 高电流能力
  • 低饱和电压： VCE(sat) =1.8 V（典型值） （IC= 60 A）
  • 部件 100% 经过 ILM(1) 检测
  • 高输入阻抗
  • 快速开关
  • 符合 RoHS 标准

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Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Family

V(BR)CES Typ (V)

IC Max (A)

VCE(sat) Typ (V)

VF Typ (V)

Eoff Typ (mJ)

Eon Typ (mJ)

Trr Typ (ns)

Irr Typ (A)

Gate Charge Typ (nC)

Short Circuit Withstand (µs)

EAS Typ (mJ)

PD Max (W)

Co-Packaged Diode

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FGA6560WDF

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Last Shipments

CAD Model

Pb

A

H

P

TO-3P-3L

340BZ

NA

0

TUBE

450

No

-

650

60

1.8

1.8

0.52

2.46

271

-

84

-

-

306

Yes

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Device: FGA6560WDF

Equivalent to wafer fab process: 3B,IJ

产品技术

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等效器件小时

平均故障间隔时间/平均无故障时间（按小时计算）

FITS

3B,IJ

1

6249407224

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Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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