IGBTs | FGB20N60S_F085

IGBT，600V，20A，2.2V，D2PAK 场截止

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安森美半导体的新型场截止 IGBT 系列采用新的场截止 IGBT 技术，为汽车充电器、逆变器和其他需要低导通和开关损耗的应用提供最佳性能。

  • 高电流能力
  • 低饱和电压： VCE(sat) = 2.2 V (IC = 20 A)
  • 高输入阻抗
  • 快速开关
  • 符合 AEC-Q101 汽车行业标准要求
  • 符合 RoHS 标准

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Family

V(BR)CES Typ (V)

IC Max (A)

VCE(sat) Typ (V)

VF Typ (V)

Eoff Typ (mJ)

Eon Typ (mJ)

Trr Typ (ns)

Irr Typ (A)

Gate Charge Typ (nC)

Short Circuit Withstand (µs)

EAS Typ (mJ)

PD Max (W)

Co-Packaged Diode

参考价格

FGB20N60SFD-F085

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CAD Model

Pb

A

H

P

D2PAK-3 / TO-263-2

418AJ

1

260

REEL

800

No

-

600

40

-

1.9

0.13

0.31

111

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63

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208

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$1.6374

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Device: FGB20N60SFD-F085

Equivalent to wafer fab process: 3B,IM

产品技术

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等效器件小时

平均故障间隔时间/平均无故障时间（按小时计算）

FITS

3B,IM

0

1730649151

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Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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