IGBTs | FGH30T65UPDT

650V，30A，场截止沟槽 IGBT

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安森美半导体的新型场截止沟槽 IGBT 系列采用新型场截止沟槽 IGBT 技术，为低导通和开关损耗至关重要的太阳能逆变器、UPS 和数字发电机提供了优化性能。

  • 最大结温：TJ = 175oC
  • 正温度系数，易于并联运行
  • 高电流能力
  • 低饱和电压：VCE(sat) = 1.65 V（典型值）@ IC = 30A
  • 器件100%经过ILM(2)测试
  • 高输入阻抗
  • 紧密的参数分布
  • 符合 RoHS 标准
  • 短路耐用性：> 5us @ 25oC

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ON Target

Family

V(BR)CES Typ (V)

IC Max (A)

VCE(sat) Typ (V)

VF Typ (V)

Eoff Typ (mJ)

Eon Typ (mJ)

Trr Typ (ns)

Irr Typ (A)

Gate Charge Typ (nC)

Short Circuit Withstand (µs)

EAS Typ (mJ)

PD Max (W)

Co-Packaged Diode

参考价格

FGH30T65UPDT-F155

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已停产

CAD Model

Pb

A

H

P

TO-247-3

340CH

NA

0

TUBE

450

No

-

650

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Device: FGH30T65UPDT-F155

Equivalent to wafer fab process: 3B,IJ

产品技术

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等效器件小时

平均故障间隔时间/平均无故障时间（按小时计算）

FITS

3B,IJ

1

6249407224

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Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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