IGBT,650V,40A,1.8V,TO-247,场截止

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安森美半导体的新型场截止 IGBT 系列采用场截止 IGBT 技术,为汽车充电器、逆变器和低导通和开关损耗至关重要的其他应用提供最佳性能。

  • 高电流能力
  • 低饱和电压: VCE(sat) = 1.8 V (IC = 40 A)
  • 高输入阻抗
  • 快速开关
  • 符合RoHS标准
  • 符合 AEC-Q101 汽车行业标准要求

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产品

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Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Family

V(BR)CES Typ (V)

IC Max (A)

VCE(sat) Typ (V)

VF Typ (V)

Eoff Typ (mJ)

Eon Typ (mJ)

Trr Typ (ns)

Irr Typ (A)

Gate Charge Typ (nC)

Short Circuit Withstand (µs)

EAS Typ (mJ)

PD Max (W)

Co-Packaged Diode

Reference Price

FGH40N65UFDTU-F085

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CAD Model

Pb

A

H

P

TO-247-3

NA

0

TUBE

450

N

-

650

80

-

1.8

0.5

1.28

65

-

119

-

-

290

-

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