IGBTs | FGH50N3

IGBT，300 V，SMPS

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此 IGBT 采用安森美半导体的平面工艺，适用于低导通损耗至关重要的、在高频率下运行的多种高电压开关应用。此器件针对中等频率开关模式电源进行了优化。

  • 其他工业
  • 低饱和电压：VCE(sat) = 1.4V（最大值）
  • Low EOFF = 6.6µJ/A
  • SCWT = 8µs@ = 125°C
  • 300V开关SOA能力
  • 高于 50A 电流的正温度系数

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Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Family

V(BR)CES Typ (V)

IC Max (A)

VCE(sat) Typ (V)

VF Typ (V)

Eoff Typ (mJ)

Eon Typ (mJ)

Trr Typ (ns)

Irr Typ (A)

Gate Charge Typ (nC)

Short Circuit Withstand (µs)

EAS Typ (mJ)

PD Max (W)

Co-Packaged Diode

参考价格

FGH50N3

联系销售

Last Shipments

CAD Model

Pb

A

H

P

TO-247-3

340CK

NA

0

TUBE

450

No

-

300

75

1.3

-

0.92

0.13

-

-

180

8

800

463

No

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可靠性数据

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Device: FGH50N3

Equivalent to wafer fab process: IGBT

产品技术

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等效器件小时

平均故障间隔时间/平均无故障时间（按小时计算）

FITS

IGBT

3

4562573939

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Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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