IGBTs | FGL35N120FTD

1200V，35A，场截止沟道 IGBT

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飞兆半导体的 1200V 沟道 IGBT 系列采用先进的场截止沟道 IGBT 技术，为光伏逆变器、UPS 和焊机等硬开关应用提供最佳性能。

  • 发电和配电
  • 不间断电源
  • 场截止沟道技术
  • 高速开关
  • 低饱和电压：VCE(sat) = 1.68 V @ IC = 35A
  • 高输入阻抗

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ON Target

Family

V(BR)CES Typ (V)

IC Max (A)

VCE(sat) Typ (V)

VF Typ (V)

Eoff Typ (mJ)

Eon Typ (mJ)

Trr Typ (ns)

Irr Typ (A)

Gate Charge Typ (nC)

Short Circuit Withstand (µs)

EAS Typ (mJ)

PD Max (W)

Co-Packaged Diode

参考价格

FGL35N120FTDTU

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已停产

CAD Model

Pb

A

H

P

TO-264-3

340CA

NA

0

TUBE

375

No

-

1200

35

1.68

2.7

1.7

2.5

520

7.6

210

-

-

368

Yes

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Device: FGL35N120FTDTU

Equivalent to wafer fab process: 3B,IL

产品技术

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等效器件小时

平均故障间隔时间/平均无故障时间（按小时计算）

FITS

3B,IL

1

2469245689

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Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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