IGBTs | FGPF4565

IGBT，650 V，场截止沟槽

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安森美半导体的新型场截止 IGBT 系列采用新型场截止 IGBT 工艺，为 IPL（强脉冲光）提供了最佳性能。

  • 高电流能力
  • 低饱和电压： VCE(sat) =1.5 V（典型值） （IC = 30 A）
  • 高输入阻抗
  • 符合 RoHS 标准

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MSL Type

MSL Temp (°C)

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Container Qty.

ON Target

Family

V(BR)CES Typ (V)

IC Max (A)

VCE(sat) Typ (V)

VF Typ (V)

Eoff Typ (mJ)

Eon Typ (mJ)

Trr Typ (ns)

Irr Typ (A)

Gate Charge Typ (nC)

Short Circuit Withstand (µs)

EAS Typ (mJ)

PD Max (W)

Co-Packaged Diode

参考价格

FGPF4565

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已停产

CAD Model

Pb

A

H

P

TO-220-3 FullPak

221AT

NA

0

TUBE

1000

No

-

650

170

1.5

-

-

-

-

-

40.3

-

-

30

No

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Device: FGPF4565

Equivalent to wafer fab process: IGBT

产品技术

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等效器件小时

平均故障间隔时间/平均无故障时间（按小时计算）

FITS

IGBT

3

4562573939

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Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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